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[发明专利]双光束光阱中重复捕获微球的方法及装置-CN202010790894.4有效
发明人：李文强;李楠;胡慧珠;舒晓武;刘承 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种在双光束光阱中重复捕获微球的方法及装置。1）调节单光束光阱与双光束光阱捕获区间位于同一位置，使得微球可在任一光阱模块中完成捕获并可转换，利用成像装置完成对该区域的成像观测；2）起支特定微球，使得微球在单光束光阱中实现捕获，随后降低起支模块并打开双光束光阱，实现捕获并逐渐关闭单光束光阱；3）收集捕获微球，再次打开单光束光阱，使得微球依靠单光束光阱悬浮在空气中，关闭双光束光阱激光，然后升高起支模块，关闭单光束光阱，使得捕获微球降落在起支模块上；4）需要重复捕获微球时本发明克服了传统光阱系统每次捕获微球都不一致的缺陷，保证了光阱系统的测量一致性。
光束光阱中重复捕获方法装置

[发明专利]一种真空光阱起支方法及装置与应用-CN202110128268.3有效
发明人：傅振海;李翠红;高晓文;李楠;胡慧珠 -专利权人：之江实验室;浙江大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空光阱起支方法及装置与应用。利用脉冲激光使微粒脱离基板；目标微粒进入离子阱中先被捕获，并在离子阱中不断减速至光阱可捕获的速度并且位移至光阱的有效捕获范围内时，打开光阱，使目标微粒同时被光阱和离子阱捕获，之后关闭并挪走离子阱，或利用离子阱进一步冷却目标微粒的质心运动光阱起支装置，包括基板、脉冲激光器、离子阱、光阱、控制装置，基板表面放置目标微粒，脉冲激光器位于基板的下方，离子阱位于基板的上方，离子阱与光阱的稳定捕获点重合，控制装置通过时序控制脉冲激光器、离子阱和光阱的开启时间本发明解决了常压起支带来的问题，也可将光阱技术拓展应用到外太空等真空环境。
一种真空光阱起支方法装置应用

[发明专利]超大光学厚度的冷原子系统-CN201810159457.5在审
发明人：白金海;李建军;左战春;王如泉 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：该系统包括磁光阱，单光束光偶极阱。在磁光阱俘获足够的冷原子后，打开光阱激光，形成单光束光偶极阱，则冷原子由磁光阱转移到单光束光偶极阱中，光学厚度测量值可达3000。本发明装置中的冷原子系统具有实现容易，冷原子团长度长、密度高，形状规则、位置稳定，可以不需撤掉光偶极阱进行实验，容许的光学模式少等特性，为量子存储、量子纠缠光源等量子光学和非线性光学领域的关键技术应用提供理想的物理平台
冷原子光偶磁光阱单光束非线性光学领域关键技术光学模式厚度测量冷原子团量子存储量子光学量子纠缠位置稳定物理平台形状规则应用提供俘获光阱光源激光

[发明专利]一种一维光阱微粒位移检测方法-CN201310042348.2有效
发明人：胡慧珠;缪立军;舒晓武;刘承 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维光阱微粒位移检测方法。本方法通过CCD采集得到光阱中微粒的运动视频，对视频的每一帧提取图像信息，并对每一帧提取的图像进行数字图像处理，从而得到光阱中微粒的实时位移信息。本发明采用图像数据降维处理的方法，将复杂的二维运算转换为简单的一维运算，大大降低了运算的复杂度，并通过数字图像处理方法得到亚像素级别的光阱微粒位移信息，为分析光阱中粒子位置稳定度和光阱力传感技术奠定了基础本发明的方法同样适用于二维光阱的微粒位移检测。
一种一维光阱微粒位移检测方法

[发明专利]利用自聚焦光纤形成光阱并且冷却微粒的方法及装置-CN201910889421.7有效
发明人：傅振海;李楠;胡慧珠;陈杏藩;高晓文;刘承 -专利权人：之江实验室;浙江大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用自聚焦光纤形成光阱并且冷却微粒的方法及装置。自聚焦光纤出射捕获光，形成光阱；从垂直于光纤光轴的方向收集微粒的散射光，解析出微粒在三个正交方向上的运动信息；基于该运动信息冷却微粒的质心运动。该装置包括捕获光阱模块、运动探测模块和反馈冷却模块。本发明可提高微粒对捕获光的散射效率，增大光阱中稳定捕获点与光纤端面的间距；将高时间分辨率的光电探测器与光纤光阱结合，解决传统光纤光阱无法冷却微粒质心运动的难题；施加冷却方案后的光纤光阱，可在高真空环境下稳定悬浮微粒，最终提高光纤光阱测量装置的探测灵敏度和系统集成度。
利用自聚焦光纤形成并且冷却微粒方法装置

[发明专利]P-LDMOS的制造方法-CN201210114133.2无效
发明人：葛洪涛;黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种P-LDMOS的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成深N阱；在所述深N阱中形成隔离结构；在所述深N阱的漏极区域形成P阱，在所述深N阱的源极区域形成N阱；在所述深N阱上形成栅极；进行源漏轻掺杂工艺，在所述N阱和P阱内分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在所述栅极的侧壁形成栅极侧墙；进行源漏重掺杂以及退火工艺。本发明在漏极采用深N阱和P阱取代传统P-LDMOS中漂移区的光罩，而在源极采用深N阱中的N阱取代了传统体区中的光罩，在制程中减少了两个光罩，在满足器件耐压的前提下有效降低了LDMOS器件的制造成本。
ldmos 制造方法

[发明专利]N-LDMOS的制造方法-CN201210114134.7无效
发明人：葛洪涛;黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种N-LDMOS的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成深N阱；在所述深N阱中形成隔离结构；在所述深N阱的漏极区域形成N阱，在所述深N阱的源极区域形成P阱；在所述深N阱上形成栅极；进行源漏轻掺杂工艺，在所述P阱和N阱内分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在所述栅极的侧壁形成栅极侧墙；进行源漏重掺杂以及退火工艺。本发明在漏极采用深N阱和N阱取代传统N-LDMOS中漂移区的光罩，而在源极采用深N阱中的P阱取代了传统体区中的光罩，在制程中减少了两个光罩，在满足器件耐压的前提下有效降低了LDMOS器件的制造成本。
ldmos 制造方法

[发明专利]N-LDMOS的制造方法-CN201210113713.X无效
发明人：葛洪涛;黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种N-LDMOS的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成深N阱；在所述衬底以及深N阱中形成隔离结构；在所述深N阱内形成N阱，在所述衬底中形成P阱；在所述衬底上形成栅极；进行源漏轻掺杂工艺，在所述P阱和N阱内分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在所述栅极侧壁形成栅极侧墙，进行源漏重掺杂以及退火工艺。本发明在漏极采用深N阱和N阱取代传统N-LDMOS中漂移区的光罩，而在源极采用P阱取代了传统体区中的光罩，在制程中减少了两个光罩，在满足器件耐压的前提下有效降低了LDMOS器件的制造成本。
ldmos 制造方法

[发明专利]P-LDMOS的制造方法-CN201210113712.5无效
发明人：葛洪涛;黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种P-LDMOS的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成深N阱；在所述衬底以及深N阱中形成隔离结构；在所述深N阱内形成P阱，在所述衬底中形成N阱；在所述衬底上形成栅极；进行源漏轻掺杂工艺，在所述N阱和P阱内分别形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；在所述栅极侧壁形成栅极侧墙，进行源漏重掺杂以及退火工艺。本发明在漏极采用深N阱和P阱取代传统P-LDMOS中漂移区的光罩，而在源极采用N阱取代了传统体区中的光罩，在制程中减少了两个光罩，在满足器件耐压的前提下有效降低了LDMOS器件的制造成本。
ldmos 制造方法

[发明专利]一种光阱微粒的起支方法及装置-CN202110144829.9有效
发明人：傅振海;陈志明;李翠红;高晓文;李楠;胡慧珠 -专利权人：之江实验室;浙江大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种光阱微粒的起支方法及装置。光阱微粒的起支方法，将样品微粒的悬浮液通过雾化器雾化成微小液滴；液滴通过导流管进入到光阱捕获区域；通过加热导流管使液滴中的溶剂挥发后残留样品微粒；在导流管上端的气流接口引入干燥气流，通过流速控制样品微粒从导流管下端出射的运动速度；导流管的下端出口收缩，其内径尺寸略大于光阱有效捕获区域的特征尺寸，小于微小液滴的特征尺寸，可使单个分散悬浮微粒通过而不让单个悬浮液滴通过。光阱微粒的起支装置，包括雾化器、导流管、气流装置、光阱。本发明可直接将微粒投送到光阱的有效捕获区域，提高光阱起支效率的同时，避免光阱捕获多个微粒的情况，解决杂质微粒污染光阱系统的问题。
一种微粒方法装置

[发明专利]一种真空光阱中测量光轴上微弱磁场的装置和方法-CN202310577333.X在审
发明人：陈杏藩;苏晶晶;李楠;胡慧珠 -专利权人：浙江大学;之江实验室
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空光阱中测量光轴上微弱磁场的装置和方法。真空腔内放置有高聚焦透镜、纳米介质球和磁场传感器，磁场传感器设置在光轴上，光束入射至真空腔内经高聚焦透镜的会聚后形成光阱，纳米介质球上负载有电子，纳米介质球被激光光束在光阱中捕获。在高真空环境下，由光源发出的平面涡旋激光，经高聚焦透镜在光阱中形成高梯度力捕获场，纳米介质球被高梯度力光场捕获并旋转。其电子通过旋转形成载流线圈，在真空光阱中产生磁场，通过磁场传感器和计算机记录采集到的真空光阱光轴上的磁场。本发明直接测量真空光阱中光轴上的磁场，无机械部件的摩擦，直接消除环境磁场因素对磁场探测造成的干扰误差，可实现磁场测量的高精度，高灵敏度。
一种真空光阱中测量光轴微弱磁场装置方法

[发明专利]基于双级二维磁光阱的大束流冷原子源-CN201710057133.6有效
发明人：段维涛;周林;王谨;詹明生 -专利权人：中国科学院武汉物理与数学研究所
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双级二维磁光阱的大束流冷原子源，涉及冷原子物理领域的冷原子源。本冷原子源包括第1级二维磁光阱（10）、第2级二维磁光阱（20）和波纹管（30）；第1级二维磁光阱（10）、波纹管（30）、第2级二维磁光阱（20）和三维磁光阱（40）依次连接；第1中心轴线（112）和第2中心轴线（212）的夹角θ为0～30º。本发明能使三维磁光阱在装载效率最高的情况下，既增加原子数目，又提高原子云的寿命，这个特性尤其是在MOT以后的冷却过程中作用明显；将为基于冷原子精密测量技术提供优异的原子源。
磁光阱二维冷原子三维磁光阱中心轴线波纹管大束流双级精密测量技术冷原子物理冷却过程依次连接原子源装载

[实用新型]一种基于双级二维磁光阱的大束流冷原子源-CN201720086161.6有效
发明人：段维涛;周林;王谨;詹明生 -专利权人：中国科学院武汉物理与数学研究所
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于双级二维磁光阱的大束流冷原子源，涉及冷原子物理领域的冷原子源。本冷原子源包括第1级二维磁光阱（10）、第2级二维磁光阱（20）和波纹管（30）；第1级二维磁光阱（10）、波纹管（30）、第2级二维磁光阱（20）和三维磁光阱（40）依次连接；第1中心轴线（112）和第2中心轴线（212）的夹角θ为0～30º。本实用新型能使三维磁光阱在装载效率最高的情况下，既增加原子数目，又提高原子云的寿命，这个特性尤其是在MOT以后的冷却过程中作用明显；将为基于冷原子精密测量技术提供优异的原子源。
一种基于二维磁光阱大束流冷原子

[实用新型]一种二维磁光阱的光机装置-CN202121651035.3有效
发明人：李军强;王先华;贾森 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种二维磁光阱的光机装置，解决现有二维磁光阱中采用多根光纤，从而无法为三维磁光阱提供高效的冷原子束流，降低三维磁光阱中的冷原子数目和装载率以及不利于小型化的问题。该二维磁光阱的光机装置，包括真空腔体、冷却光组件、分束组件、第一功率偏振控制组件、第二功率偏振控制组件、中转反射镜组件、第一反射镜组件、第二反射镜组件和再泵浦光及推送光组件；该装置是一种分别仅利用一根光纤传输冷却光束、推光与再泵浦光合束的二维磁光阱的激光光路系统和机械结构。
一种二维磁光阱装置

[发明专利]离子光腔耦合系统及方法-CN201810925152.0有效
发明人：曹冬阳 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种离子光腔耦合系统及方法，其中，该系统包括：第一光腔、第二光腔以及包括直流电极对、接地电极对和射频电极对的离子阱系统，离子阱系统中排列有至少一个离子，至少一个离子的平衡位置所在直线且与第一光腔的两个光腔镜面垂直的直线为中心线，第二光腔与中心线具有夹角，第一光腔用于获取量子光信号并将其发送至离子阱系统中，以使该量子光信号的量子信息转移到离子阱系统的单个离子中，第二光腔用于获取离子阱系统中单个离子的量子信息。
离子耦合系统方法

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