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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光电池-CN02814369.8无效
发明人：凯蒂尼·G·基蒂巴布;何晋安;林恩·安·塞缪尔森;李廉;苏坎托·特里帕蒂;贾亚纳特·库马尔;斯里尼瓦桑·巴拉苏布拉马尼亚 -专利权人：麻省大学
申请日： 2002-06-14 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种制造光电池的方法，包括使交联剂与半导体粒子接触，并将半导体粒子掺入光电池。
光电池

[其他]光电池-CN85103355无效
发明人：深津猛夫;武内胜;后藤一幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1985-05-13 - 公布日： 1986-11-12 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：采用本发明的光电池备有透光性的基板，其基板上有透光性的第1电极层，其第1电极上有P型的第1半导体层。第1半导体层上有厚度约25-300可生成空穴的0.3ev以下的活化能源。该光电池还备有在第1半导体层上P型的第2半导体层，它有厚度约100-1000可生成空穴的0.3ev以上的活化能源。此外，该电池上还有第2半导体层上的I型第3半导体层、第3半导体层上N型的第4半导体层和第4半导体层上的第2电极层。
光电池

[其他]光电池-CN101985000003355在审
发明人：深津猛夫;武内胜;后藤一幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1985-05-13 - 公布日： 1989-01-25 - 主分类号：文献下载
摘要：采用本发明的光电池包含透明的基板，其基板上有透明的第一电极层，其第一电极上有Ｐ型的第一半导体层。第一半导体层的厚度约为２５－３００Ａ并具有可生成空穴的０．３ｅＶ以下的激活能。该光电池还包在第一半导体层上的相同电导率型的第二半导体层，它的厚度约为１００－１０００Ａ并有可生成空穴的０．３ｅＶ以上的激活能。该电池上还包含第二半导体层上的Ｉ型第三半导体层、第三半导体层上Ｎ型的第四半导体层和第四半导体层上的第二电极层。
光电池

[发明专利]光电池-CN96196958.X无效
发明人： D·鲁泼;J·萨尔比克 -专利权人：德国赫彻斯特研究技术两合公司
申请日： 1996-09-09 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电池，它含有优选由无定形固体组成的空穴传导材料作为电荷输送层。
光电池

[发明专利]光电池-CN85103355.5无效
发明人：深津猛夫;武内胜;后藤一幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1985-05-13 - 公布日： 1989-01-25 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：采用本发明的光电池包含透明的基板，其基板上有透明的第一电极层，其第一电极上有P型的第一半导体层。第一半导体层的厚度约为25-300A并具有可生成空穴的0.3eV以下的激活能。该光电池还包在第一半导体层上的相同电导率型的第二半导体层，它的厚度约为100-1000A并有可生成空穴的0.3eV以上的激活能。该电池上还包含第二半导体层上的I型第三半导体层、第三半导体层上N型的第四半导体层和第四半导体层上的第二电极层。
光电池

[发明专利]光电池-CN01808607.1有效
发明人：西恩·沙欣;克里斯托夫·布雷贝克;托马斯·弗罗姆赫兹;弗朗兹·帕丁格;塞达·萨里西夫茨;埃哈德·格洛兹尔 -专利权人：奎塞尔－匡塔姆·索拉能源林茨研发公司
申请日： 2001-04-27 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电池，该光电池有由两种分子组分制成的光敏层(4)，即电子给体和电子受体，特别是共轭聚合物组分和富勒组分，且该光电池有在光敏层(4)的两侧的两个金属电极(2、6)。
光电池

[发明专利]光电池-CN200480024092.1有效
发明人： D·J·海盖特;L·哈里森;S·伯恩 -专利权人： ITM燃料电池有限公司
申请日： 2004-08-19 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明的第一个方面是一种光电池，其是能够透射光的膜电极组合件。该膜材料优选地是包含强离子性基团的聚合物。该组合件优选地包含催化剂和/或染料增感剂。本发明的第二个方面是一种产生电压的方法，其包括照射本发明的电池。
光电池

[发明专利]光电池-CN201080017672.3无效
发明人：石桥彻 -专利权人：福留裕文
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01M14/00 文献下载
摘要：一种光电池，其以木质素作为原料，使用碱性溶液、卟啉等吡咯化合物、紫外线、太阳光等的光能等使氢离子脱离，且以木质素和卟啉作为材料而制作。
光电池

[发明专利]光电池-CN01808606.3无效
发明人：西恩·沙欣;克里斯托夫·布雷贝克;托马斯·弗罗姆赫兹;弗朗兹·帕丁格;塞达·萨里西夫茨;埃哈德·格洛兹尔 -专利权人：奎塞尔－匡塔姆·索拉能源林茨研发公司
申请日： 2001-04-27 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电池，该光电池有由两种分子组分制成的光敏层(4)，即电子给体和电子受体，特别是共轭聚合物组分和富勒组分，且该光电池有在光敏层(4)的两侧的两个金属电极(2、5)。
光电池

[发明专利]光电池-CN200780013160.8无效
发明人： C·洛伦泽蒂;M·维塔尔 -专利权人：西巴控股有限公司
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种高效率的光电池可以通过在该电池光敏层中使用金属纳米粒子或者纳米结构作为主要吸光组件来获得，其通过表面等离子或者极化子机理来吸收光。该电池包含至少一含有纳米粒子或者纳米结构的光敏层，每一个位于n-掺杂的和p-掺杂的电荷传输层之间，特征在于：该纳米粒子或者纳米结构是光敏层中的主要吸光组件，该纳米粒子或者纳米结构具有金属导电性，并通过表面等离子或者极化子机理来吸收近红外光
光电池

[发明专利]一种硅光电池的微通道定位结构及基于该结构的定位方法-CN201910941989.9有效
发明人：陈谦;张路;李展;刘泓 -专利权人：苏州索真生物技术有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光电池的微通道定位结构，包括微通道、光源、硅光电池和安装块，硅光电池设置有引脚，安装块设有T型安装槽，一号硅光电池、二号硅光电池和三号硅光电池分别安装于安装槽内，三号硅光电池位于一号硅光电池和二号硅光电池连线的垂直平分线上，一号硅光电池和二号硅光电池连线的一侧设置有微通道，微通道垂直于一号硅光电池、二号硅光电池和三号硅光电池所在平面，微通道远离一号硅光电池、二号硅光电池和三号硅光电池所在平面的一侧设置有光源。降低微通道定位技术的成本，降低对硬件配置的需求，只需要判断两个硅光电池的反馈值，即可判断光斑中心是否在微通道中心以及微通道在竖直面内是否有旋转。
一种光电池通道定位结构基于方法

[实用新型]激光光斑中心探测器-CN200520114464.1无效
发明人：陆建红;朱亚平;吴晖 -专利权人：陆建红
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： G01C15/00 文献下载
摘要：一种激光光斑中心探测器，具有光电池组(1)和信号处理器(2)，光电池组内的光电池(a)呈直线设置；在光电池组(1)的两侧各设有与上述光电池组(1)内的各光电池(a)同一直线设置的边缘光电池(b)；所述光电池组(1)内的各光电池(a)及两边缘光电池(b)通过各自放大整形电路(c)与信号处理器(2)上对应的端口相连。本实用新型能从边缘光电池是否有信号输出得知探测距离是否在合适的范围内，确保探测结果的正确性，防止误操作的发生。
激光光斑中心探测器

[发明专利]一种太阳方位测量仪-CN201210500372.1无效
发明人：曹捷 -专利权人：飞秒光电科技（西安）有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G01C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳方位测量仪，包括基座、步进电机二、安装座、六角大螺母、步进电机一、支架、光电池安装板、遮光筒、控制器，以及安装基座上且向控制器反馈电压差信号的前精定位光电池、后精定位光电池、左精定位光电池、右精定位光电池、前粗定位光电池、后粗定位光电池、左粗定位光电池和右粗定位光电池，步进电机二安装在基座上，安装座安装在步进电机二输出轴上，步进电机一安装在安装座上，支架安装在步进电机一输出轴上，光电池安装板安装在支架上端；控制器安装在基座上，遮光筒的数量为四个分别安装在前精定位光电池、后精定位光电池、左精定位光电池和右精定位光电池上。
一种太阳方位测量仪

[实用新型]一种太阳方位测量仪-CN201220647218.2有效
发明人：曹捷 -专利权人：飞秒光电科技（西安）有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G01C1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳方位测量仪，包括基座、步进电机二、安装座、六角大螺母、步进电机一、支架、光电池安装板、遮光筒、控制器，以及安装基座上且向控制器反馈电压差信号的前精定位光电池、后精定位光电池、左精定位光电池、右精定位光电池、前粗定位光电池、后粗定位光电池、左粗定位光电池和右粗定位光电池，步进电机二安装在基座上，安装座安装在步进电机二输出轴上，步进电机一安装在安装座上，支架安装在步进电机一输出轴上，光电池安装板安装在支架上端；控制器安装在基座上，遮光筒的数量为四个分别安装在前精定位光电池、后精定位光电池、左精定位光电池和右精定位光电池上。
一种太阳方位测量仪

[实用新型]一种大范围高精度的太阳位置传感器-CN201621157259.8有效
发明人：杜恩武;徐春冬;江剑;孔德仁 -专利权人：南京卓砾智测控技术有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G01C1/00 文献下载
摘要：一种大范围高精度的太阳位置传感器，包括侧遮光板、上遮光板、透明防护板、底板、光电池Ⅰ、光电池Ⅱ、光电池Ⅲ、光电池Ⅳ和光电池Ⅴ。所述的光电池Ⅰ、光电池Ⅱ、光电池Ⅲ和光电池Ⅳ分别安装在东西南北四个方向上，光电池安装时与底板呈一定角度，各光电池对称安装。所述四块侧遮光板将该传感器按直角坐标系方式分为四个象限，用于隔离四个象限中太阳光的对其他光电池的影响，上遮光板安装在传感器的正上方，同时光电池Ⅴ平放置在上遮光板上，底板用于安装四个对称分布的光电池，四块透明防护板倾斜安装
一种范围高精度太阳位置传感器

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