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[发明专利]紫外光感测显示装置-CN201110009706.0有效
发明人：谢信弘 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外光感测显示装置，包括二个开关晶体管、二个光敏晶体管、二个电容以及二个发光二极管。各光敏晶体管的栅极分别电性连接至各开关晶体管的漏极与各电容的一端。各发光二极管的阳极电性连接至各光敏晶体管的漏极，且各发光二极管的阴极电性连接至一第一电压源。各光敏晶体管的源极电性连接至一第二电压源与各电容的另一端。各发光二极管分别产生不同颜色的光线。当紫外光持续照射光敏晶体管时，其中一光敏晶体管较另一光敏晶体管快开启。
紫外光显示装置

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202110069149.5有效
发明人：翟玉浩 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述阵列基板包括感光晶体管和开关晶体管，感光晶体管的有源层包括第一光敏有源层，开关晶体管的有源层包括第二光敏有源层，第二光敏有源层的厚度小于第一光敏有源层的厚度；或，感光晶体管的有源层包括第一光敏有源层，开关晶体管的有源层不设置第二光敏有源层。相比于现有技术，本发明实施例提供的阵列基板，无需在开关晶体管的有源层区域上方制备遮光层来改善开关晶体管的开关性能，减少了一道光罩制程，且减少了一层遮光层，从而减少了阵列基板及显示面板的制备成本。
一种阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]一种光敏器件及显示面板、显示装置-CN201610344361.7有效
发明人：刘英明;董学;薛海林;王海生;陈小川;丁小梁;杨盛际;许睿;李昌峰;刘伟;王鹏鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光敏器件及光敏装置，用以在低温多晶硅薄膜晶体管中实现对光线强弱识别的目的。在本发明中，该光敏器件包括作为控制开关的顶栅型第一薄膜晶体管以及与第一薄膜晶体管连接且作为光敏单元的顶栅型第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管中栅极至少部分透明，且对应第二薄膜晶体管中的部分有源层，以在两个薄膜晶体管同时导通时实现对进入第二薄膜晶体管的光线强弱的识别，另外，第二薄膜晶体管的存在，能够有效区分不同光线照射下输出信号端的电流信号的读取情况，提升该光敏器件的灵敏度。该光敏器件在顶栅型薄膜晶体管中实现了对光线强弱的感应，有效扩展了光敏器件适用范围；而且，其识别效率以及速度相对较高。
一种光敏器件显示面板显示装置

[发明专利]衬底基板、显示基板以及光探测基板-CN202111619038.3在审
发明人：秦云科;佟月;贾鹏;王雷;王明东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该衬底基板包括：衬底；光敏晶体管，设于所述衬底上，所述光敏晶体管的第一源漏电极层连接于偏压信号端；所述光敏晶体管的有源层包括光敏材料；输出电路，设于所述衬底上，且包括一个或多个晶体管，所述输出电路与所述光敏晶体管的第二源漏电极层以及读取信号端连接，且用于根据所述光敏晶体管的第二源漏电极层的电位向所述读取信号端输出信号。
衬底显示以及探测

[发明专利]显示基板、其纹路识别方法及显示装置-CN202111254067.4在审
发明人：刘浩;宋尊庆;卢江楠;李栋;张慧娟;刘利宾;刘政;单真真 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开提供的显示基板、其纹路识别方法及显示装置，包括衬底基板；多个像素驱动电路，在衬底基板上呈阵列排布；多个纹路识别电路，纹路识别电路位于像素驱动电路的间隙处；纹路识别电路包括光敏晶体管，光敏晶体管的有源层位于光敏晶体管的栅极远离衬底基板的一侧，光敏晶体管的第一极和第二极位于光敏晶体管的有源层远离衬底基板的一侧。
显示纹路识别方法显示装置

[发明专利]显示基板、其制作方法及显示装置-CN202111412090.1在审
发明人：佟月;秦云科;王雷;贾鹏;王明东;王佳斌;李扬冰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开提供的显示基板、其制作方法及显示装置，包括：衬底基板；多个发光器件，在衬底基板上呈阵列排布；多个驱动晶体管，位于多个发光器件所在层与衬底基板之间，多个驱动晶体管与多个发光器件电连接；多个光敏晶体管，与多个驱动晶体管同层设置，且各光敏晶体管位于各驱动晶体管的至少部分间隙处，光敏晶体管用于采集纹路的反射光线。
显示制作方法显示装置

[发明专利]光电探测器、显示基板及光电探测器的制作方法-CN202010251313.X在审
发明人：陈江博;孟凡理;李凡;张硕;李达;李泽源;李延钊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：所述光电探测器包括光敏层、薄膜晶体管和感应电极，所述感应电极与所述薄膜晶体管的源漏电极相连，将所述光敏层感光产生的信号传导至所述薄膜晶体管；所述光敏层和所述薄膜晶体管之间设置有阻氢层，用以抑制所述光敏层的氢到达所述薄膜晶体管阻氢层能够对光敏层内的氢进行吸附和/或阻挡，降低氢对薄膜晶体管的阈值电压的影响，改善薄膜晶体管的性能。
光电探测器显示制作方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法-CN201210209083.6无效
发明人：刘格致;肖海波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器的结构及其制作方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有光敏二极管、转移晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管和选通晶体管，所述光敏二极管、转移晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管和选通晶体管相互电连接；氧化层，覆盖所述光敏二极管和转移晶体管的表面；张应力层，覆盖所述氧化层的表面，所述张应力层用于在所述转移晶体管的沟道内产生张应力。
cmos 图像传感器及其制作方法

[发明专利]阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法-CN201910961564.4有效
发明人：周天民;黄睿;杨维;王利忠;强朝辉;杨涛;强力 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板包括衬底基板以及并列设置在其上的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一极连接第二晶体管的第二极；阵列基板还包括光敏二极管，光敏二极管包括第一光敏电极、第二光敏电极以及设置在第一光敏电极和第二光敏电极之间的光敏层，第一光敏电极与第一晶体管的第一栅极电连接。在上述设置中，第一晶体管和第二晶体管的输入端和输出端连接，以形成一个控制电路，该控制电路的均一性和稳定性大幅提升，当功能模块(例如：指纹识别模块)集成于显示面板时，指纹识别模块中的光敏二极管与控制电路连接时，控制电路能够更好地接收光敏二极管发出的电信号。
阵列电子装置制作方法

[发明专利]具有燃烧控制装置的锅炉-CN99106783.5无效
发明人：金时焕 -专利权人：大宇电子株式会社
申请日： 1999-05-20 - 公布日： 2000-11-29 - 主分类号： F23N5/08 文献下载
摘要：具有燃烧控制装置的锅炉,具有光敏晶体管,用于精密地检测锅炉的燃烧状况。所述具有燃烧控制装置的锅炉具有一燃烧器,用于通过混合含有可燃气体的燃料和空气产生火焰,以及光敏晶体管,用于检测含有的光波长。在燃烧器和光敏晶体管之间安装有燃烧室盖。燃烧室盖上安装有耐热窗,其与含有和光敏晶体管成一直线,使得耐热窗可以防止含有的热传到光敏晶体管,而正常传感含有的光线。燃烧控制装置中安装有一控制部件,以便根据光敏晶体管的输出信号控制流入燃烧器的空气量。
具有燃烧控制装置锅炉

[发明专利]感测像素及其触控面板-CN200810094806.6有效
发明人：庄凯岚 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：感测像素包括感测电容、读取晶体管、重置晶体管、基部晶体管以及光敏晶体管。光敏晶体管在曝光时会产生光漏电流，因此利用光敏晶体管的光遮蔽特性来检测被触碰的感测像素的位置。
像素及其面板

[发明专利]一种双能平板探测器结构-CN202210097639.0在审
发明人：崔巍;郑晗;王宗朋;何德毅 -专利权人：深圳市安健科技股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及探测器技术领域，特别涉及一种双能平板探测器结构，包括第光电传感器阵列层，光电传感器阵列层包括高能传感器单元和低能传感器单元，高能传感器单元的感光区域结构为顶栅极不透明且底栅极透明的高能光敏晶体管，低能传感器单元的感光区域结构为顶栅极透明且底栅极不透明的低能光敏晶体管，通过采用光敏晶体管进行感光，光敏晶体管与薄膜晶体管具有完全兼容的制程，并通过将高能光敏晶体管的源极与漏极之间的间距设计成大于高能薄膜晶体管的源极与漏极之间的间距，将低能光敏晶体管的源极与漏极之间的间距设计成大于低能薄膜晶体管的源极与漏极之间的间距，这样可以增加感光区域的感光性能，提高感光面积，从而能够提高像素分辨率。
一种平板探测器结构

[发明专利]一种基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器-CN201510227861.8有效
发明人：高宏;闫锋;张丽敏;马浩文;卜晓峰;杨程;毛成 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器，所述MOS电容感光晶体管作为光敏单元；所述MOSFET读取晶体管和与此MOSFET读取晶体管相邻的所述MOS电容感光晶体管组成基本包括多列MOS电容组成的感光晶体管和多列MOSFET读取晶体管组成的阵列，其中由多列在同一个P型衬底上形成的一个MOS电容感光晶体管和一个MOSFET读取晶体管的双晶体管组成的基本像素单元紧密排列组成；所述MOS电容感光晶体管有多列不同形态的感光晶体管和读取晶体管通过多种形态的布局可以充分利用像素空间，提高感光晶体管的面积，提高像素占空比从而提高双晶体管光敏探测器的灵敏度、信噪比和动态范围。
一种基于复合介质 mosfet 多模态双晶光敏探测器

[发明专利]一种二维材料光控逻辑门-CN202110566411.7在审
发明人：张跃;黄梦婷;张铮;汤文辉;刘璇;王利华;陈匡磊;尚金森;卫孝福 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料光控逻辑门，包括集成在第一衬底上的第一光敏层、第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；集成在第二衬底上的第二光敏层、第五电极和第六电极；第一光敏层和第二光敏层均由二维材料制成；第一衬底、第一光敏层、第一电极和第二电极构成第一光电晶体管；第一衬底、第一光敏层、第二电极和第三电极构成第二光电晶体管；第一衬底、第一光敏层、第三电极和第四电极构成第三光电晶体管；第二衬底、第二光敏层、第五电极和第六电极构成第四光电晶体管；第一光电晶体管、第二光电晶体管及第三光电晶体管串联；第三光电晶体管与第四光电晶体管并联。
一种二维材料光控逻辑

[发明专利]像素驱动电路-CN202011578374.3有效
发明人：王贤军;王雅榕;张哲嘉;张竞文;范振峰;张琬珩;苏松宇 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：像素驱动电路包含发光二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一电容、第二电容、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及光敏开关。于补偿期间，第二晶体管提供第一驱动电流给发光二极管，使发光二极管发光以照射光敏开关，光敏开关用以产生对应于发光二极管的照射的光电流，并且通过光电流调整第二晶体管的栅极端的电压电平，以调整第二晶体管于之后的发光期间提供予发光二极管的第二驱动电流
像素驱动电路

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