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[发明专利]太阳能电池-CN200680046076.1无效
发明人：米泽谕 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：形成有由在可挠性集成云母基板(1)上形成的下部电极层(2，Mo电极层)、包含铜、铟、镓、硒的光吸收层(3，CIGS光吸收层)、在光吸收层(3)上由InS、ZnS、CdS等形成的高电阻缓冲层薄膜(4)、由ZnOAl等形成的上部电极层(5，TCO)组成一个单位的电池单元(10，单位电池单元)，并且，为了串联连接多个单位电池单元(10)，形成有连接上部电极层(5)和下部电极层(2)的接触电极部(6)。该接触电极部(6)的Cu/In比率大于光吸收层(3)的Cu/In比率，换句话说，构成得In较少，相对于作为p型半导体的光吸收层(3)，显示出p+(正)型或导体的特性。
太阳能电池

[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的掺杂方法-CN201811167139.X在审
发明人：张冲;王雪戈 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的掺杂方法，包括：在衬底沉积背电极；在所述背电极上形成铜铟镓硒光吸收层；待所述衬底的温度处于第一预设温度后，在所述铜铟镓硒光吸收层上沉积碱金属氟化物，其中，所述第一预设温度大于或等于这样可以有效减少碱金属氟化物在高温下与铜铟镓硒光吸收层表面的原子或原子团反应而生成其他化合物，即减少了铜铟镓硒光吸收层的表面形成的杂质，提高pn结的品质，进而提升铜铟镓硒太阳能电池的光电转换效率。
一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收掺杂方法

[发明专利]图像传感器-CN201110231127.0有效
发明人：强文华;汪辉;陈杰;汪宁;田犁;尚岩峰 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：感光结构包括横向排列且呈包围式结构四个掺杂区，四个掺杂区中包括一光吸收层和一个雪崩倍增区。横向包围式结构能够消除较薄的顶层半导体层对光吸收层的厚度的限制，增加光吸收层的宽度和面积，从而能够提高感光结构的光吸收效率。雪崩倍增区能大幅度提高感光结构的光电转换效率、进一步提高感光结构的光吸收效率。
图像传感器

[发明专利]一种采用激光重叠曝光消融的背接触太阳能电池制造方法-CN202310164943.7在审
发明人：谢志刚;谢艺峰;黄巍辉;林朝晖 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种背接触太阳能电池制造方法，对半导体基板第二主面进行划分，一部分为第一半导体区，另一部分为第二半导体区；在半导体基板第二主面依次形成第一导电型膜层、第一绝缘膜层、激光吸收牺牲叠层；所述激光吸收牺牲叠层包括在第一绝缘膜层上依次形成的硅基激光吸收膜层、第二绝缘膜层以及保护膜层；采用激光曝光消融工艺以第一激光去除第二半导体区上的激光吸收牺牲叠层的部分膜层，采用化学腐蚀工艺依次去除第一激光曝光区域剩余的激光吸收牺牲叠层、第一绝缘膜层和第一导电型膜层以形成第二半导体区的开口，之后进行化学清洁以露出第一半导体区的硅基激光吸收膜层。本发明的目的在于保证生产效率，又防止异质结膜层热衰减的问题。
一种采用激光重叠曝光消融接触太阳能电池制造方法

[发明专利]放射线图像变换面板-CN201380045508.7无效
发明人：樱井纯;铃木克彦;清水一伸;上村刚士 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： G21K4/00 文献下载
摘要：放射线图像变换面板具备：支撑体；辉尽性荧光体层，其设置在支撑体的表面上，由多个柱状结晶构成；以及第1激励光吸收层，其设置在辉尽性荧光体层上，多个柱状结晶各自具有在支撑体侧螺旋状地层叠而成的螺旋构造部、以及从螺旋构造部向第1激励光吸收层延伸而成的柱状部，辉尽性荧光体层蓄积入射的放射线，经由第1激励光吸收层照射有激励光，由此将与蓄积的放射线对应的光经由第1激励光吸收层射出。
放射线图像变换面板

[发明专利]硅基太阳能电池及其制造方法-CN201510873755.7在审
发明人：宋超;黄锐;宋捷;王祥;郭艳青 -专利权人：韩山师范学院
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基太阳能电池，包括硅基电池本体，在硅基电池本体表面形成有短波长光吸收层，短波长光吸收层由对硅基电池本体的表面硅进行氧化、氮化或碳化后形成的介电层组成；短波长光吸收层用于在太阳光穿过时对大于短波长光吸收层的禁带宽度的太阳光短波进行吸收，利用短波长光吸收层对太阳光短波的吸收和光电转换效率大于硅基电池本体对太阳光短波的吸收和光电转换效率的特点提高硅基太阳能电池的短波响应。本发明能有效提高硅基太阳能电池对短波长的吸收，拓宽其光谱响应，进而提高太阳能电池的转换效率，能与微电子工艺技术相兼容，工艺简单、成本低。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]光检测元件和光检测装置-CN201980068249.7在审
发明人：间瀬光人;田口桂基;石原兆;山本洋夫;岛田明洋 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：一种光检测元件，具备：半导体基板、形成于半导体基板上的第一导电型的光吸收层、形成于光吸收层上的第一导电型的盖层，以及形成于盖层内，与盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域。形成于半导体区域的周围的耗尽层，在不向pn结施加反方向偏置的情况下，未达到光吸收层，在向pn结施加20V的反方向偏置的情况下，从盖层侧超过光吸收层的厚度的50％的位置。
检测元件装置

[发明专利]一种多节太阳能电池制造方法-CN201811638451.2有效
发明人：陈意桥;张国祯 -专利权人：苏州焜原光电有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于电子元器件制造技术领域，涉及一种多节太阳能电池制造方法，步骤包括将将InP衬底装入MBE系统的生长室，加热去除衬底表面残余的氧化层，然后依次形成缓冲层、底电极、光吸收层、顶层节、发射极和顶电极，其中光吸收层的禁带宽度由下往上依次递增。本发明采用组分渐变的光吸收层可以大幅度增强不同波段太阳光的光吸收能力，该结构太阳能电池的可以达到很高的光电转化效率。
一种太阳能电池制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201280064564.0有效
发明人：韩承宪 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：所述太阳能电池包括：设置在支撑基板上的背电极层；设置在背电极层上的光吸收层；设置在光吸收层上的前电极层；连接线，延伸穿过光吸收层并将背电极层与前电极层电连接；以及形成在连接线的侧表面上的侧绝缘部。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池装置及其制造方法-CN201280062252.6有效
发明人：林真宇 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：该太阳能电池装置包括基板上的背电极层、所述背电极层上的光吸收层、所述光吸收层上的缓冲层，所述缓冲层上的前电极层、以及连接部，该连接部与所述前电极层接触、穿过所述光吸收层、并与所述背电极层接触。所述连接部包括与构成所述前电极层的材料不同的材料。
太阳能电池装置及其制造方法

[发明专利]用于在热脆性基板上固化焊膏的方法-CN201880086970.4有效
发明人： R·J·亨德里克斯 -专利权人： NCC纳诺责任有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B23K35/02 文献下载
摘要：该方法包括：将光反射层和光吸收层印刷在热脆性基板上；在该光反射层和该光吸收层上选择性地沉积多个导电迹线；然后在与该光吸收层的位置相对应的选择性位置上施加焊膏；在将组件放置在该焊膏上之后，从一侧对该热脆性基板照射均匀的脉冲光该光吸收层吸收该脉冲光并被加热，随后该热量通过热传导传递至该焊膏和该组件，以加热和熔化该焊膏。
用于脆性基板上固化方法

[发明专利]一种Ti掺杂硫化锑的薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201810785959.9在审
发明人：郑巧;程树英;王冲冲;马国臣 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开了一种以Ti掺杂Sb₂S₃作为光吸收层的薄膜太阳能电池及其制备方法，该薄膜太阳能电池结构由下到上依次由氧化物透明导电衬底、电子传输层、无机光吸收层、空穴传输层和金属电极构成，其中所述无机光吸收层为Ti掺杂的Sb₂S₃薄膜。本发明采用旋涂方法制备Ti掺杂的Sb₂S₃薄膜，使Sb₂S₃薄膜表面形貌有了很大改善，增强了其光吸收率，以其作为薄膜太阳能电池的光吸收层
薄膜太阳能电池光吸收层制备掺杂的薄膜掺杂薄膜表面形貌电池转换效率电子传输层空穴传输层光吸收率金属电极填充因子透明导电硫化锑氧化物衬底旋涂电池

[发明专利]偏光片及应用其的液晶显示面板与液晶显示器-CN201610295035.1有效
发明人：麦真富;刘平;孟凡媛;刘萍 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种偏光片，包括偏光层，所述偏光层包括依次层叠设置的第一偏光材料层与第二偏光材料层；所述第一偏光材料层具有第一光吸收轴，所述第二偏光材料层具有第二光吸收轴；所述第二光吸收轴与所述第一光吸收轴具有一大于0当所述偏光片贴到显示面板上，由于多个角度光吸收轴的共同作用，可以有效避免因偏光片偏贴产生的漏光问题，从而提高显示质量。
偏光应用液晶显示面板液晶显示器

[发明专利]一种用于高温焊接面罩的安全玻璃-CN201510587810.6在审
发明人：张寰宇 -专利权人：张寰宇
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： A61F9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高温焊接面罩的安全玻璃，包括：安全玻璃本体、第一危害光吸收层、第一视力保护层、第二危害光吸收层和第二视力保护层，所述的安全玻璃本体的外表面上从外往内依次设置有所述的第一危害光吸收层和所述的第一视力保护层，所述的安全玻璃本体的内表面上从外往内依次设置有所述的第二危害光吸收层和所述的第二视力保护层。通过上述方式，本发明对电弧光中对人体有害的光线的吸收充分，能够很好的保护视力。
一种用于高温焊接面罩安全玻璃

[发明专利]光学指纹装置和电子设备-CN201980004118.2有效
发明人：陈宋郊;高攀;吴宝全 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：本申请提供了一种光学指纹装置和电子设备，该光学指纹装置应用于具有显示屏的电子设备，所述光学指纹装置用于设置在所述显示屏的下方，所述光学指纹装置包括光学指纹芯片，滤光层，光吸收层和光学组件，其中，所述滤光层溅射或蒸镀在所述光学指纹芯片上表面，所述光吸收层涂覆在所述滤光层上表面；或者，所述光吸收层涂覆在所述光学指纹芯片上表面，所述滤光层溅射或蒸镀在所述光吸收层上表面；其中，所述光学指纹芯片包括具有多个光学感应单元的感应阵列，所述感应阵列用于接收从所述显示屏上方的手指返回并经过所述滤光层和所述光吸收层传输的指纹光信号
光学指纹装置电子设备