专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种收发机前端架构-CN202210794624.X在审
  • 不公告发明人 - 成都爱旗科技有限公司
  • 2022-07-05 - 2022-10-11 - H04B1/40
  • 本发明公开一种收发机前端架构,涉及收发机技术领域,以解决现有收发机前端架构中发射通路的高关断限制了发射通路的性能提高的问题。所述收发机前端架构至少包括:射频开关、开关以及变压器;所述变压器包括第一线圈和第二线圈,所述第一线圈的一端与天线连接,所述第一线圈的另一端串联连接接收通路,所述射频开关与所述接收通路并联;所述第二线圈与所述开关并联,所述第一线圈和所述开关均与发射通路连接;所述接收通路连通,所述发射通路关断时,所述射频开关断开,所述开关闭合,所述发射通路被短路。本发明提供的收发机前端架构可以使收发机中的发射通路关断阻抗不受限,降低了收发机系统的设计难度,提高了收发性能。
  • 一种收发前端架构
  • [发明专利]一种产生双频信号的毫米波振荡器-CN201310616103.6有效
  • 刘昱;李仲茂;樊晓华;李志强;张海英 - 中国科学院微电子研究所
  • 2013-11-27 - 2014-03-12 - H03B5/20
  • 发明公开了一种产生双频信号的毫米波振荡器,包括高Q值电感模块、通路选择模块、第一负产生模块、第二负产生模块、可调电容模块和TTL驱动模块,其中:高Q值电感模块与可调电容模块构成谐振网络,该谐振网络用于产生基频22.5GHz和30.5GHz的频率;通路选择模块,用于控制第一负产生模块或第二负产生模块与该谐振网络连接;第一负产生模块或第二负产生模块,用于产生负以维持振荡持续;TTL驱动模块,用于控制通路选择模块的状态,高TTL电平或TTL电平通过TTL驱动模块控制通路选择模块的状态来实现不同频率的输出。
  • 一种产生双频信号毫米波振荡器
  • [发明专利]一种新型差分晶体振荡器电路-CN202210587463.7在审
  • 尹海峰;王镇;黄家乐;诸小胜;姜源;韩增产 - 思诺威科技(无锡)有限公司
  • 2022-05-27 - 2022-08-12 - H03B5/36
  • 本发明公开了一种新型差分晶体振荡器电路,包括振荡器、第一负载、第二负载、第五电阻、第六电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和用于辅助振荡器起振的通路;振荡器的一端与第一双极型晶体管的集电极连接,第一双极型晶体管的集电极通过第一负载接入外部电源,以及与第二双极型晶体管的基极相连;振荡器的另一端与第二双极型晶体管的集电极连接,第二双极型晶体管的集电极通过第二负载接入外部电源,以及与第一双极型晶体管的基极相连;通路的一端与振荡器并联,该通路的另一端通过第五电阻与第一双极型晶体管的基极相连,该通路的另一端通过第六电阻与第二双极型晶体管的基极相连。
  • 一种新型晶体振荡器电路
  • [发明专利]一种应用于跨放大器的补偿结构-CN201710579919.4有效
  • 甄少伟;杨磊;郑炯卫;刘增鑫;罗萍;张波 - 电子科技大学
  • 2017-07-17 - 2020-07-10 - H03F1/02
  • 一种应用于跨放大器的补偿结构,属于模拟集成电路技术领域。和第二运算放大器A2,补偿结构的输入信号分别连接第一运算放大器A1和第二运算放大器A2的输入端,第一运算放大器A1和第二运算放大器A2的输出端相连并作为补偿结构的输出端,第一运算放大器A1构成高增益、带宽的慢通路,第二运算放大器A2构成增益、高带宽的快通路,通过将快通路与慢通路并联产生零点的方式,来降低系统的品质因子Q值,实现跨放大器系统稳定。本发明既能使得环路稳定工作,又替代了传统跨放大器需要加入的补偿电容,有效减小了跨放大器的面积,尤其适用于跨放大器的大规模应用,可以有效地节约面积,提高阵列的分辨率。
  • 一种应用于放大器补偿结构
  • [发明专利]一种实现多值非挥发存储的方法-CN202010502998.0有效
  • 赖云锋;宫泽弘;林培杰;程树英;郑巧;俞金玲 - 福州大学
  • 2020-06-05 - 2023-09-26 - H10N70/00
  • 本发明提出一种实现多值非挥发存储的方法,通过提升变存储器的高低态阻值比,以及增加多值存储时各态的区分度来优化其多值非挥发存储性能;变存储器的电极之间设有可稳定所述变存储器高态工况导电通路的多层变介质;多层变介质包括第一介质层和第二介质层;所述第一介质层与第二介质层的界面间存在势垒;当变存储器处于高态工况时,所述势垒提升电阻值;第一介质层中分布有可稳定所述变存储器态工况导电通路的金属纳米颗粒;当变存储器处于态工况时,金属纳米颗粒降低电阻值;本发明通过在存储介质中嵌入纳米颗粒,实现变存储器各态的区分度的提高并保证器件的数据存储能力。
  • 一种实现多值非挥发存储方法
  • [实用新型]一种合路器-CN201020266033.8无效
  • 王子骥;韩大庆;徐罕聪 - 北京东方信联科技有限公司
  • 2010-07-15 - 2011-02-23 - H01P1/213
  • 本实用新型提供一种合路器,包括腔体,和位于腔体内的一个带通路和一个带通通路;带通路包括:一个带通路内导体、至少一个带通路频率调整螺钉和至少一个带通路驻波调整螺钉;带通路内导体与第一连接器内导体同轴设置;带通通路包括:至少一个带通通路内导体、至少一个带通通路频率调整螺钉和至少一个带通通路驻波调整螺钉;带通通路内导体与第二连接器内导体垂直设置;第二连接器内导体和第一连接器内导体平行。该合路器由于包括一个带通路和一个带通通路,通过调节这两个通路的频率和带宽可以实现任意两路信号的合路。
  • 一种合路器
  • [发明专利]高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法-CN202110800171.2在审
  • 刘溪;赵春荣 - 沈阳工业大学
  • 2021-07-15 - 2021-11-05 - H01L29/786
  • 高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及使用和制造方法,对近源栅电极、近漏栅电极和漏电极同时正向偏置,肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和肖特基势垒漏区形成通路,该数字芯片处于导通、状态,对源电极输出逻辑1;对近源栅电极、近漏栅电极同时反向偏置,对漏电极正向偏置,高肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和高肖特基势垒漏区形成通路,该数字芯片处于导通、状态,对源电极输出逻辑1;对近源栅电极、近漏栅电极其中一个施加正向偏置,另一个施加反向偏置,对漏电极施加正向偏置,该数字芯片处于关断、高状态,对源电极输出逻辑0。
  • 高低肖特基势垒无掺杂xnor逻辑数字芯片制造方法

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