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[发明专利]一种低维层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法-CN202210554994.6有效
发明人：谢明玲;王向谦;宋玉哲;何开宙;员朝鑫;谭稀 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种低维层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：S1：在预处理后的衬底上通过磁控溅射沉积金属钼，得沉积有金属钼薄膜的衬底；S2：将步骤S1所得沉积有金属钼薄膜的衬底在真空管式炉退火系统中硫化退火，得低维层状二硫化钼薄膜材料。本发明还包括采用上述方法制备得到低维层状二硫化钼薄膜材料。本发明采用磁控溅射制备金属钼薄膜，然后用真空管式炉退火系统进行硫化退火制得低维层状二硫化钼薄膜材料，有效解决了现有技术中薄膜面积有限、与衬底结合力差、易生成氧化钼和性能较差等问题。
一种层状二硫化钼薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种低维钼配合物晶的制备方法-CN200510126082.5无效
发明人：鲁晓明 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C07F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了具有管状或者薄层片状独立外在形貌的低维钼配合物晶的制备方法，低维钼配合物晶中的Mo为Mo(IV)，Mo(V)，Mo(VI)；配体为含氧配位原子的苯芳香族化合物或者其取代衍生物；抗衡阳离子为质子化乙二胺阳离子上述低维配合物晶的制备方法包括常温溶液合成法与高温水热以及溶剂热合成法。主要技术手段是在有机相、无机相或者有机无机混合相中，将含钼化合物、有机胺、含有氧配位原子的苯芳香族化合物或者其取代衍生物置于容器中反应并分离产物得到低维钼配合物晶。
一种低维钼配合制备方法

[发明专利]三维大孔结构二氧化钼负载钯颗粒材料的合成方法-CN201610810386.1有效
发明人：梁砚琴;李彬彬;崔振铎;杨贤金;朱胜利;李朝阳 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： B01J23/652 文献下载
摘要：本发明公开三维大孔结构二氧化钼负载钯颗粒材料的合成方法，二氧化钼与钯的质量比为20:(0.06‑0.6)，二氧化钼的孔径为200—400nm，钯颗粒为5—10nm，利用有序排列的聚甲基丙烯酸甲酯微球胶晶模板制备三维大孔二氧化钼结构，在三维大孔二氧化钼结构上进行钯颗粒的负载。本发明实施费用低、操作简便，污染低，是一种高效经济的合成方法，同时本发明的材料结构稳定且具有电催化性能。
三维结构氧化钼负载颗粒材料合成方法

[发明专利]三维大孔结构二氧化钼负载钯颗粒材料作为电催化材料的应用-CN201610810337.8有效
发明人：梁砚琴;李彬彬;崔振铎;杨贤金;朱胜利;李朝阳 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： B01J23/652 文献下载
摘要：本发明公开三维大孔结构二氧化钼负载钯颗粒材料作为电催化材料的应用，二氧化钼与钯的质量比为20:(0.06‑0.6)，二氧化钼的孔径为200—400nm，钯颗粒为5—10nm，利用有序排列的聚甲基丙烯酸甲酯微球胶晶模板制备三维大孔二氧化钼结构，在三维大孔二氧化钼结构上进行钯颗粒的负载。本发明实施费用低、操作简便，污染低，是一种高效经济的合成方法，同时本发明的材料结构稳定且具有电催化性能。
三维结构氧化钼负载颗粒材料作为电催化应用

[发明专利]一种表面生长碳化钼的柔性三维材料及其制备方法和应用-CN202211125141.7在审
发明人：蒋江民;江野;鞠治成;庄全超;崔永莉;史月丽;陈亚鑫 -专利权人：中国矿业大学;江苏省中以产业技术研究院
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C01B32/949 文献下载
摘要：本发明提供了一种表面生长碳化钼的柔性三维材料及其制备方法和应用，涉及电极材料技术领域。本发明提供的表面生长碳化钼的柔性三维材料的制备方法，包括以下步骤：将碳源、钼源、吸附剂和水混合，得到混合溶液；将碳布浸泡于所述混合溶液中，取出后进行碳化，得到表面生长碳化钼的柔性三维材料。本发明提供的制备方法工艺简单、能耗低，制备得到的表面生长碳化钼的柔性三维材料具有高柔韧性且电化学性能优异。
一种表面生长碳化柔性三维材料及其制备方法应用

[发明专利]一种三维大孔结构二氧化钼负载钯颗粒材料及其合成方法-CN201510162223.2有效
发明人：梁砚琴;李彬彬;崔振铎;杨贤金;朱胜利;李朝阳 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： B01J23/652 文献下载
摘要：本发明公开一种三维大孔结构二氧化钼负载钯颗粒材料及其合成方法，二氧化钼与钯的质量比为20(0.06‑0.6)，二氧化钼的孔径为200—400nm，钯颗粒为5—10nm，利用有序排列的聚甲基丙烯酸甲酯微球胶晶模板制备三维大孔二氧化钼结构，在三维大孔二氧化钼结构上进行钯颗粒的负载。本发明实施费用低、操作简便，污染低，是一种高效经济的合成方法，同时本发明的材料结构稳定且具有电催化性能。
一种三维结构氧化钼负载颗粒材料及其合成方法

[发明专利]三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料的合成方法-CN201610890140.X有效
发明人：梁砚琴;李彬彬;崔振铎;杨贤金;朱胜利;李朝阳 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： B01J23/882 文献下载
摘要：本发明公开三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料的合成方法，二氧化钼与氧化钴的质量比为9:(0.4‑2)，二氧化钼的孔径为200—400nm，氧化钴颗粒为5—10nm，利用有序排列的聚甲基丙烯酸甲酯微球胶晶模板制备三维大孔二氧化钼结构，在三维大孔二氧化钼结构上进行氧化钴颗粒的负载。本发明实施费用低、操作简便，污染低，是一种高效经济的合成方法，同时本发明的材料结构稳定且具有阳极电催化性能。
三维结构氧化钼负载氧化钴颗粒材料合成方法

[发明专利]一种二维碳化钼/石墨烯纳米片复合材料的制备方法-CN201910850884.2有效
发明人：杜建平;刘璐;李生虎;杜宇轩;商阳阳 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维碳化钼/石墨烯纳米片复合材料的制备方法，是将溶解有十六烷基三甲基溴化铵的氧化石墨烯乙醇分散液加入可溶性钼源水溶液中进行水热反应，反应产物碳化得到二维碳化钼/石墨烯纳米片复合材料。本发明通过简单的方法制备得到了二维碳化钼/石墨烯纳米片复合材料，解决了碳化钼活性位点暴露少、活性低的问题，提高了碳化钼材料的催化性能。以本发明制备的二维碳化钼/石墨烯纳米片复合材料作为催化剂材料应用于电解水制氢反应中，表现出了较高的活性。
一种二维碳化石墨纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料及其合成方法-CN201510163322.2有效
发明人：梁砚琴;李彬彬;崔振铎;杨贤金;朱胜利;李朝阳 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： B01J23/882 文献下载
摘要：本发明公开一种三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料及其合成方法，二氧化钼与氧化钴的质量比为9(0.4‑2)，二氧化钼的孔径为200—400nm，氧化钴颗粒为5—10nm，利用有序排列的聚甲基丙烯酸甲酯微球胶晶模板制备三维大孔二氧化钼结构，在三维大孔二氧化钼结构上进行氧化钴颗粒的负载。本发明实施费用低、操作简便，污染低，是一种高效经济的合成方法，同时本发明的材料结构稳定且具有阳极电催化性能。
一种三维结构氧化钼负载氧化钴颗粒材料及其合成方法

[发明专利]三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料作为阳极电催化剂的应用-CN201610891436.3有效
发明人：梁砚琴;李彬彬;崔振铎;杨贤金;朱胜利;李朝阳 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C25B11/03 文献下载
摘要：本发明公开三维大孔结构二氧化钼负载氧化钴颗粒材料作为阳极电催化剂的应用，二氧化钼与氧化钴的质量比为9(0.4‑2)，二氧化钼的孔径为200—400nm，氧化钴颗粒为5—10nm，利用有序排列的聚甲基丙烯酸甲酯微球胶晶模板制备三维大孔二氧化钼结构，在三维大孔二氧化钼结构上进行氧化钴颗粒的负载。本发明实施费用低、操作简便，污染低，是一种高效经济的合成方法，同时本发明的材料结构稳定且具有阳极电催化性能。
三维结构氧化钼负载氧化钴颗粒材料作为阳极催化剂应用

[发明专利]大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用-CN201811558523.2有效
发明人：徐晓龙;叶堉;戴伦 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜，通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜，再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜，然后生长钼薄膜，剥离得到金属钼和半导体相碲化钼相间的薄膜，进一步通过化学气相沉积法使金属钼薄膜转变为金属相碲化钼薄膜，从而得到金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结。通过该方法制备的金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结场效应晶体管阵列具有低的接触电阻，提高了载流子的注入效率，提高了器件的电学性能。同时该方法为二维半导体材料在集成电路以及柔性器件方面的应用提供了基础。
大面积制备金属相与半导体相接二维碲化钼面内异质结方法应用

[发明专利]二硫化钼分散剂、二硫化钼分散体、其制备方法及应用-CN201610310516.5有效
发明人：王立平;陈佳;陈诚;赵海超 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C07C211/54 文献下载
摘要：本发明公开了一类二硫化钼(MoS2)分散剂、二硫化钼分散体、其制备方法及应用。所述二硫化钼分散剂包括能够通过物理作用与二硫化钼结合而使二硫化钼稳定分散于常规溶剂等分散介质内的苯胺低聚物和/或苯胺低聚物衍生物。本发明利用成本低廉的苯胺低聚物和/或其衍生物作为二硫化钼分散剂，并将该分散剂与二硫化钼在分散介质中简单混合，通过两者之间的物理相互作用，即可利用简单的液相剥离方法获得二硫化钼二维纳米片，其无损于二硫化钼的物理结构和化学性能，操作过程简单，利于大规模实施，且剥离的二硫化钼二维纳米片质量高，在半导体、能源、耐磨润滑涂料、复合材料等领域具有广阔的应用前景。
二硫化钼分散剂散体制备方法应用

[发明专利]三维多孔碳/二硫化钼复合物修饰电极及其制备和应用-CN201810095946.9在审
发明人：郭慢丽;冯岩龙;杨玫;曹玉娟;朱德斌;俞英 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明属于化学分析检测领域，提供了一种三维多孔碳/二硫化钼复合物修饰电极及其制备方法，同时提供了基于该电极的电化学检测方法。所述三维多孔碳/二硫化钼复合物修饰电极包括玻碳电极和三维多孔碳/二硫化钼复合物涂层，三维多孔碳/二硫化钼复合物涂层包裹玻碳电极形成所述三维多孔碳/二硫化钼复合物修饰电极。本发明的三维多孔碳/二硫化钼复合物修饰电极具有高比表面积、催化活性和很好的导电性，同时具有很好的电子传递能力，能提高电极反应速率。其制备方法简单易行且成本低，基于该电极的电化学检测方法操作简单、选择性好、灵敏度高。
二硫化钼三维多孔修饰电极复合物电化学检测复合物涂层玻碳电极电极制备电子传递能力化学分析检测制备和应用导电性催化活性电极反应灵敏度

[发明专利]一种碳化钼/碳复合材料及基于熔融盐法的制备方法和应用-CN202111259019.4有效
发明人：原长洲;公天宇;侯林瑞;许佳丽;崔凯 -专利权人：济南大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化钼/碳复合材料及基于熔融盐法的制备方法和应用。所述碳化钼/碳复合材料包括碳化钼成分的空心纳米管和二维碳片，且该二维碳片的两个表面上均结合有所述碳化钼成分的空心纳米管，形成“三明治”结构的碳化钼/碳复合材料。所述制备方法包括如下步骤：（1）将可溶性熔融盐、PVP粉末和三氧化钼纳米线混合均匀，得混合粉体。将所述混合粉体置于保护气氛中加热至熔融并保温，完成后去除固体产物中的可溶性熔融盐，即得。本发明采用制备工艺操作简单、安全的融熔盐高温煅烧法，实现了将一维三氧化钼纳米线和PVP粉末一步转换成三维“三明治”结构的碳化钼/碳复合材料，其不仅结构稳定，均一性好且成本低。
一种碳化复合材料基于熔融制备方法应用

[发明专利]一种一维结构二硒化钼/钼-MOF复合纳米材料及其制备方法和应用-CN202210793435.0有效
发明人：王伟智;戚梦娟;李辰阳;李慰 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种一维结构二硒化钼/钼‑MOF复合纳米材料及其制备方法和应用，将钼源和咪唑混匀在水中，获得的溶液进行加热反应，获得一维纳米结构Mo‑MOF；将硒源溶解在水合肼中，获得的硒源水合肼溶液加入到无水乙醇中，再加入一维纳米结构Mo‑MOF，搅拌均匀，加热反应，即得一维结构二硒化钼/钼‑MOF复合纳米材料，形貌为在一维纳米结构的Mo‑MOF的表面生长出二维结构的MoSe2纳米片，本发明制备程所需材料易得且成本低，实验设备和操作简单，反应可控，易于重复。
一种结构二硒化钼 mof 复合纳米材料及其制备方法应用

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