专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高导拼接盆架-CN201310314732.3有效
  • 邵明辉;牟宗君;许超 - 歌尔声学股份有限公司
  • 2013-07-24 - 2013-10-23 - H04R7/20
  • 本发明提供了一种高导拼接盆架,包括磁路系统和固定收容磁路系统的盆架,磁路系统包括中心磁铁;盆架包括磁导率的导板和高磁导率的导板,其中,在磁导率的导板上开设有与中心磁铁相对应的通孔;中心磁铁粘接设置在磁导率的导板的通孔上;高磁导率的导板粘接设置在磁导率的导板下方与中心磁铁相对应的位置,并且,高磁导率的导板的厚度小于磁导率的导板的厚度。利用上述本发明的高导拼接盆架,可以有效缓解磁路系统形成的间隙产生的饱和,同时增加磁路系统中中心磁铁的厚度,进一步扩大音圈的驱动力,提升产品灵敏度。
  • 高导磁拼接
  • [实用新型]高导拼接盆架-CN201320445872.X有效
  • 邵明辉;牟宗君;许超 - 歌尔声学股份有限公司
  • 2013-07-24 - 2014-01-15 - H04R7/20
  • 本实用新型提供了一种高导拼接盆架,包括磁路系统和固定收容磁路系统的盆架,磁路系统包括中心磁铁;盆架包括磁导率的导板和高磁导率的导板,其中,在磁导率的导板上开设有与中心磁铁相对应的通孔;中心磁铁粘接设置在磁导率的导板的通孔上;高磁导率的导板粘接设置在磁导率的导板下方与中心磁铁相对应的位置,并且,高磁导率的导板的厚度小于磁导率的导板的厚度。利用上述本实用新型的高导拼接盆架,可以有效缓解磁路系统形成的间隙产生的饱和,同时增加磁路系统中中心磁铁的厚度,进一步扩大音圈的驱动力,提升产品灵敏度。
  • 高导磁拼接
  • [发明专利]一种励补偿型混合源磁场调制电机-CN202010598512.8有效
  • 王海涛;丁树业;冯春梅;邱鑫;施建平;李娜 - 南京师范大学
  • 2020-06-28 - 2022-06-07 - H02K29/03
  • 本发明提供了一种励补偿型混合源磁场调制电机,由多个非同种励源构成的混合源励,其中,高磁性能励源施加于转子上,采用高剩磁永磁体;磁性能励源施加于定子上,由施加于定子槽口处的剩磁永磁体与定子齿交替排布构成;直流励源施加于定子上,直流励绕组分布在定子齿与励辅助齿两侧,各绕组同轴向端部相连接。本发明提供的励补偿型混合源磁场调制电机实现了低速大转矩、宽调速范围且全运行范围内齿槽转矩和转矩脉动,相较于现有技术,能够克服传统永磁磁场调制电机气隙磁场无法灵活调节与可调通磁场调制电机磁场在弱运行下齿槽转矩与转矩脉动大的缺点
  • 一种补偿混合磁场调制电机
  • [实用新型]带聚环的电永磁吸盘-CN201520254077.1有效
  • 李川;郭强;孙鹏 - 青岛力磁电气有限公司
  • 2015-04-24 - 2015-08-12 - B25B11/00
  • 本实用新型涉及磁力技术领域,具体地说是一种增大吸盘磁力、增强吸持效果的带聚环的电永磁吸盘,其包括盘体、激磁线圈组件、高矫顽力磁条、矫顽力块和磁极,特征在于盘体内设有由激磁线圈组件、高矫顽力磁条、矫顽力块和磁极组成的磁力单元,矫顽力块周边套有激磁线圈组件,矫顽力块上端设有磁极,磁极周围设有高矫顽力磁条,磁极、高矫顽力磁条、矫顽力块、激磁线圈组件和盘体的间隙填充有密封胶层,磁极上端面设有以磁极中心为圆心的圆环形聚凹槽
  • 带聚磁环永磁吸盘
  • [发明专利]不对称型变通记忆电机-CN202110962647.2有效
  • 华浩;周子成 - 上海交通大学
  • 2021-08-20 - 2023-07-25 - H02K21/14
  • 本发明提供了一种不对称型变通记忆电机,包括定子铁心、定子绕组、转子铁心、矫顽力可变通永磁体;所述定子绕组安装在所述定子铁心上,所述矫顽力可变通永磁体安装在所述转子铁心上,所述不对称型变通记忆电机所具有的转子的一对或多对磁极上设置有矫顽力可变通永磁体,矫顽力可变通永磁体的中心线与转子磁极中心轴线不重合;本发明所述的不对称型变通记忆电机,由于矫顽力可变通永磁体的中心线与转子磁极中心轴线不重合,且在电机转子正向旋转情况下交轴电枢反应磁场将正向流过低矫顽力可变通永磁体,故所述不对称型变通记忆电机可以在正向旋转情况下避免交轴电枢电流造成的意外退磁问题。
  • 不对称型变磁通记忆电机

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