专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]烟气脱硫系统-CN201220169579.0有效
  • 周淼;吕小鸿;周湧;任哲 - 深圳力合环保技术有限公司
  • 2012-04-19 - 2012-11-21 - B01D53/75
  • 一种烟气脱硫系统,用于脱除含有二氧化硫的烟气中的二氧化硫,包括低温等离子体装置、碱液接触室及钙源接触室,所述低温等离子体装置用于将烟气中的二氧化硫氧化为三氧化硫,所述碱液接触室通过管道与所述低温等离子体装置连通,所述碱液接触室用于将经过低温等离子体装置氧化生成的三氧化硫与碱液反应生成含有SO42-的溶液,所述钙源接触室,通过管道与所述碱液接触室连通,所述钙源接触室用于将所述含有SO42-的溶液与钙源反应生成硫酸钙及回收碱液,所述钙源接触室内收容的钙源为氧化钙、氢氧化钙或氢氧化钙溶液。
  • 烟气脱硫系统
  • [发明专利]烟气脱硫系统及烟气脱硫方法-CN201210118212.0有效
  • 周淼;吕小鸿;周湧;任哲 - 深圳力合环保技术有限公司
  • 2012-04-19 - 2012-08-15 - B01D53/78
  • 一种烟气脱硫系统,用于脱除含有二氧化硫的烟气中的二氧化硫,包括低温等离子体装置、碱液接触室及钙源接触室,所述低温等离子体装置用于将烟气中的二氧化硫氧化为三氧化硫,所述碱液接触室通过管道与所述低温等离子体装置连通,所述碱液接触室用于将经过低温等离子体装置氧化生成的三氧化硫与碱液反应生成含有SO42-的溶液,所述钙源接触室,通过管道与所述碱液接触室连通,所述钙源接触室用于将所述含有SO42-的溶液与钙源反应生成硫酸钙及回收碱液
  • 烟气脱硫系统方法
  • [实用新型]一种低温力学拉伸性能检测装置-CN201720697579.0有效
  • 邢承亮;白丽娟;孙晓冉;海岩;薛峰;谷秀锐;王程明 - 河钢股份有限公司
  • 2017-06-15 - 2017-12-29 - G01N3/18
  • 本实用新型涉及一种低温力学拉伸性能检测装置,属于低温力学拉伸性能检测设备技术领域。1)的内壁上设有冷却液循环腔(2),试样(6)竖直设置在冷却箱(1)内,试样(6)的下端固定在冷却箱(1)下部的箱体上,试样(6)的上端与试验机夹具体(5)夹紧连接,冷却箱(1)内从下至上依次设有下部低温感应器(10)、中部低温感应器(9)和上部低温感应器(8),垂直试样接触杆(19)的一端与自动引伸臂(15)的自动引伸臂触头(16)粘结在一起,垂直试样接触杆(19)的另一端与试样(6)接触。本实用新型的有益效果是结构简单,操作方便,通过与试验机配合能够方便、快捷的检测低温力学拉伸性能。
  • 一种低温力学拉伸性能检测装置
  • [发明专利]一种LED外延生长方法-CN201510454406.1有效
  • 周少将;徐迪;卢国军;刘为刚 - 湘能华磊光电股份有限公司
  • 2015-07-29 - 2017-10-03 - H01L33/00
  • 本申请公开了LED芯片外延生长方法,LED芯片包括自下而上顺序设置的衬底、低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层、浅量子阱层、有源层MQW、AlGaN/GaN超晶格、低温P型GaN层、P型AlGaN/InGaN超晶格结构、高温P型GaN层及P型接触层。方法包括在衬底上从下而上顺序生长低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层及浅量子阱层;在浅量子阱层上生长出有源层MQW,有源层MQW为低温多量子阱结构;在有源层MQW上生长非刻意掺杂的AlGaN/GaN超晶格结构;在AlGaN/GaN超晶格结构上生长低温P型GaN层;在低温P型GaN层上生长P型AlGaN/InGaN超晶格结构;在P型AlGaN/InGaN超晶格结构上生长高温P型GaN层;在高温P型GaN层上生长P型接触层;以及降温得到LED芯片外延结构。
  • 一种led外延生长方法

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