专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种系统管道介质泄露的检测方法-CN201811579419.1在审
  • 赵泽顺 - 无锡热能在线科技有限公司
  • 2018-12-24 - 2020-06-30 - F17D5/02
  • 本发明公开了一种系统管道介质泄露的检测方法,其方法步骤如下:S1:在系统管道内安装传感器,所述传感器可以用于测试系统压力和流量;S2:安装完成后,从注液口端加入介质,注入直到排液口端有介质流出,确保系统内所有空气全部排空,充满介质,关闭注液口和排液口,确保系统封闭;S3:传感器监测系统内的压力和流量,传输给远程通讯模块,远程通讯模块通过2G,3G,4G,LORA,NB方式将数据发送给云平台;S4:云平台分析判断检测到系统内压力和流量发生变化出现异常时,发送预警信息给用户,用户及时关断系统检查问题,利用物联网云平台分析,判断出管道介质是否发生泄露,并将预警信息发送到用户手机上,提醒用户检查系统,避免因为介质泄露减少造成更大的损失。
  • 一种系统管道介质泄露检测方法
  • [发明专利]一种增大手性场的结构-CN202010875393.6在审
  • 不公告发明人 - 中山科立特光电科技有限公司
  • 2020-08-27 - 2020-11-20 - G02F1/00
  • 本发明涉及一种增大手性场的结构,从下到上依次设置有第二贵金属膜、介质层和第一贵金属膜;所述第二贵金属膜内设置有周期排列的第二贵金属圆盘孔,所述介质层内设置有周期排列的介质圆盘孔,所述第一贵金属膜内设置有周期排列的第一贵金属圆盘孔;各周期内的第二贵金属圆盘孔的几何中心、与所述各周期内的第二贵金属圆盘孔对应的介质圆盘孔的几何中心、与所述各周期内的第二贵金属圆盘孔对应的第一贵金属圆盘孔的几何中心的连接线为直线,所述直线垂直所述贵金属膜本发明提供的结构在贵金属圆盘孔的周围会聚集大量的电场,使得电场和磁场在空间上分离,在中间的介质圆盘孔内,电场被增强,介质圆盘孔内产生较大的单一手性场。
  • 一种增大手性结构
  • [发明专利]一种双频WIFI PCB天线及终端设备-CN202010541247.X在审
  • 焦健 - 上海创功通讯技术有限公司
  • 2020-06-15 - 2020-11-10 - H01Q1/22
  • 本申请涉及无线通信技术领域,公开了一种双频WIFI PCB天线及终端设备,双频WIFI PCB天线包括:衬底,衬底的第一侧面形成有介质区和位于介质区之外的接地区;形成于衬底的第一侧面的介质层和金属地,介质层位于介质区,金属地位于接地区,介质层背离衬底的一侧表面设有天线单元,天线单元包括天线臂组件和位于天线臂组件朝向金属地一侧的接地端和馈路端,天线臂组件包括位于接地端背离馈路端一侧的第一天线臂和位于馈路端背离接地端一侧的第二天线臂
  • 一种双频wifipcb天线终端设备
  • [发明专利]NAND存储器及其制造方法-CN202011023971.X在审
  • 姚邵康;巨晓华;王奇伟 - 上海华力微电子有限公司
  • 2020-09-25 - 2020-12-04 - H01L27/11524
  • NAND存储器的制造方法包括:提供衬底,所述衬底上形成有重复排列的字线及选择管,且字线和选择管的侧壁形成有第一侧墙;刻蚀相邻选择管之间的第一侧墙,使相邻选择管之间第一侧墙的上表面低于选择管的上表面;形成层间介质层,所述层间介质层覆盖相邻选择管之间的第一侧墙及衬底;去除字线之间及字线与选择管之间的第一侧墙;在字线、选择管及层间介质层上形成氧化层,以在字线之间形成空气间隙。本发明在形成层间介质层之前部分刻蚀相邻选择管之间的第一侧墙,以使选择管之间的第一侧墙埋在后续形成的层间介质层之下,避免其在形成空气间隙的过程中被去除,从而避免层间介质层出现空洞。
  • nand存储器及其制造方法
  • [发明专利]近红外超宽带完美反射与隧穿透射的全介质超材料-CN202011111300.9在审
  • 朱锦锋;刘雪莹;申家情;邱锦林;李法君 - 厦门大学
  • 2020-10-16 - 2021-01-05 - G02B1/00
  • 本发明公开了近红外超宽带完美反射与隧穿透射的全介质超材料,所述超材料包括:基底层、下层四分之一波长多叠层、中间连接层、上层介质光栅;所述基底层、所述下层四分之一波长多叠层和所述中间连接层为自下而上复合形成;所述上层介质光栅呈周期性均匀分布在所述中间连接层上。所述下层四分之一波长多叠层、所述中间连接层、所述上层介质光栅构成超材料单元结构;其中,所述基底层为二氧化硅,所述下层四分之一波长多叠层由氟化镁与硅交替组成,所述中间连接层为二氧化硅,所述上层介质光栅为硅本发明的全介质超材料具有反射率高、带宽极宽、无损耗、制备成本低等优点,在光学器件和系统中具备广泛应用的潜力。
  • 红外宽带完美反射透射介质材料

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