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[发明专利]一种改性钴锰二元金属氧化物催化剂的制备方法及其应用-CN201410083889.4有效
发明人：徐秀峰 -专利权人：烟台大学
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明涉及一种改性钴锰二元金属氧化物催化剂，可用下述方法制备：用弱碱沉淀法合成钴锰二元金属氢氧化物，钴和锰的物质的量之比为（4.0～14.0）：1；在350℃～550℃温度下焙烧制备钴锰二元金属氧化物；用碳酸钾、草酸钾或碳酸铯等助剂溶液等体积浸渍钴锰二元金属氧化物；将助剂浸渍过的钴锰二元金属氧化物在70℃～90℃温度下干燥；干燥后的钴锰二元金属氧化物在350℃～550℃温度下焙烧，得到改性钴锰二元金属氧化物催化剂本发明制备催化剂的原料均为无机化合物，对人体和环境无危害。而且，催化剂组成简单，制备工艺参数易控制，催化剂活性高，有很高的性价比。
一种改性二元金属氧化物催化剂制备方法及其应用

[发明专利]含钛金属氧化物的制造方法、全息记录材料、其制造方法及全息记录介质-CN200710199487.0有效
发明人：小须田敦子;林田直树;吉成次郎 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明提供一种着色减少的含钛金属氧化物的制造方法。提供将着色减少的含钛金属氧化物用作金属氧化物基质，还适合用于利用蓝色激光器的全息照相存储器记录的全息记录材料、其制造方法以及全息记录介质。一种金属氧化物的制造方法，所述金属氧化物中作为金属元素至少包含Ti，所述制造方法包括：准备配位有偕二元醇及连位二元醇以外的二元醇的Ti的烷氧基化合物的工序；使配位有所述二元醇的Ti的烷氧基化合物水解，得到金属氧化物的前驱体的工序；使所述金属氧化物前驱体进行缩聚反应，形成金属氧化物的工序。
金属氧化物制造方法全息记录材料介质

[发明专利]复合金属氧化物热化学储热材料、热化学储热模块及制备方法-CN202011453426.4有效
发明人：肖刚;彭记康;倪明江;岑可法 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： F28D20/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合金属氧化物热化学储热材料、热化学储热模块以及复合金属氧化物热化学储热材料的制备方法，能够大幅降低现有的一元金属氧化物和二元金属氧化物储热体系的反应温度，并且利用该储热材料制备的储热模块具有良好的循环稳定性具体而言，本发明提供的复合金属氧化物热化学储热材料是掺有锂的三元复合金属氧化物。实验发现，在部分二元复合金属氧化物中进一步掺杂锂元素，能够大幅降低现有的二元复合金属氧化物的反应温度，并且，通过添加不同比例的锂元素，反应温度的变化也有所不同，从而可以根据需要灵活调整配方，来获得特定的反应温度
复合金属氧化物热化学材料模块制备方法

[发明专利]阻变存储器的制造方法-CN201210058676.7有效
发明人：刘明;赵盛杰;谢常青;刘琦;吕航炳;张满红;霍宗亮;胡媛 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种阻变存储器的制造方法，所述方法包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成阻变功能层，其中，所述阻变功能层包括至少一层第一二元金属氧化物以及至少一层第二二元金属氧化物，且所述第一二元金属氧化物与第二二元金属氧化物交替层叠；进行热退火工艺；在所述阻变功能层上形成第二电极。不同的金属氧化物的金属离子存在差异，通过退火工艺，在两种金属氧化物的界面处发生扩散，形成复合的介电中间物，形成结构缺陷，从而优化阻变功能层的电学特性，提高转变参数的均匀性。
存储器制造方法

[发明专利]二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器-CN200710304220.3有效
发明人：刘琦;刘明;龙世兵;贾锐;管伟华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，该存储器包括：一上导电电极；一下导电电极；一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子本发明在二元过渡族金属氧化物中注入离子，可以极大地提高器件的产率，增加器件高、低阻态之间的比值，减小各个器件之间电阻转变特性的离散值。
二元过渡金属氧化物挥发电阻转变存储器

[发明专利]一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法-CN200910302938.8无效
发明人：刘明;李颖弢;龙世兵;王琴;左青云;王艳;刘琦;张森 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法，属于信息存储技术领域。本发明的制作方法简单、成本低并且与传统CMOS工艺兼容，采用金属掺杂的二元金属氧化物作为电阻转变存储层，再经过退火处理，不仅可以使二元金属氧化物薄膜结晶，而且还可以在二元金属氧化物中形成大量的金属缺陷，
一种二元金属氧化物存储器及其制作方法

[发明专利]一种金属氧化物负载β晶成核剂及其制备方法-CN200910040207.0无效
发明人：麦堪成;章自寿;王春广 -专利权人：中山大学
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C08K3/22 文献下载
摘要：本发明公开一种金属氧化物负载β晶成核剂及其制备方法，该成核剂是将脂肪族二元羧酸和金属氧化物以1∶5～1000的重量比混合制成。本发明的β晶成核剂以金属氧化物作为载体，使脂肪族二元羧酸高度分散在金属氧化物表面，形成的有效成核点增加，从而提高了β晶成核剂的成核效率，而且制备方法简单，同时因减少了脂肪族二元羧酸的用量，实现了β晶成核剂成本的显著降低本发明的β晶成核剂以金属氧化物作为载体，对聚丙烯还起到增强增韧作用，使β晶聚丙烯的屈服强度和模量提高，而且使得其所制备的β晶聚丙烯更有利于生产多孔薄膜等材料。
一种金属氧化物负载成核及其制备方法

[发明专利]用于除磷的铁锰二元金属氧化物改性陶粒及其制备方法-CN201510310201.6有效
发明人：杜晓丽;韩强;王建富;龙昊川;李俊奇;吴洋 -专利权人：北京建筑大学
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： B01J20/06 文献下载
摘要：本发明提出一种用于除磷的铁锰二元金属氧化物改性陶粒的制备方法，包括步骤1)陶粒和高锰酸钾溶液混合，在搅拌状态下加入硫酸亚铁溶液；其中陶粒和高锰酸钾溶液的质量体积比为8g10‑30mL，加入硫酸亚铁溶液后继续搅拌18‑25小时；2)搅拌结束后，将陶粒从反应混合物中分离后烘干，于280‑550℃烧结2‑6h，取出后冷却即得铁锰二元金属氧化物改性陶粒。现有技术所采用的铁锰二元金属氧化物具有颗粒细小的缺陷，本发明针对工程应用中滤池或人工湿地内水流动冲刷填料的实际情况，制得了二元金属氧化物改性陶粒，使铁锰氧化物和陶粒紧密结合，提高了除磷的效率，降低了除磷成本
用于二元金属氧化物改性陶粒及其制备方法

[发明专利]一种二元合金纳米颗粒修饰的固体氧化物电解池工作电极及其制备方法和应用-CN202210442141.3在审
发明人：李榕;李天真;甄强 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C25B1/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种二元合金纳米颗粒修饰的固体氧化物电解池工作电极及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：S1、以金属元素的氧化物和碳酸盐为原料，或者直接以钙钛矿氧化物与预掺杂的化合物为原料；经球磨混合后，在1000‑1200℃下煅烧，高温固相合成二元金属掺杂的钙钛矿氧化物；S2、将二元金属掺杂的钙钛矿氧化物制成工作电极浆料；S3、将工作电极浆料涂覆于电解质片上，烘干，烧结，制得固体氧化物电解池工作电极；S4、通还原性气氛，高温处理。获得的电极表面上的二元金属纳米粒子增加了电化学反应的活性位点，有利于电极反应的进行；B位元素的出溶，有利于电极表面氧还原反应的进行，提高了电极的氧离子导电性能。
一种二元合金纳米颗粒修饰固体氧化物电解池工作电极及其制备方法应用

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置-CN201310718983.8有效
发明人：姜春生 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该制备方法包括在基板上形成栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极和漏极；所述形成金属氧化物半导体有源层包括：形成包括第一图案、第二图案、第三图案，并与源极和漏极直接接触的氧化锌系二元金属氧化物图案层；以形成在源极和漏极上方的绝缘层为阻挡层，采用离子注入技术向氧化锌系二元金属氧化物图案层注入金属掺杂离子，将第三图案的二元金属氧化物转化为多元金属氧化物半导体，形成金属氧化物半导体有源层。
一种薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置-CN201310719312.3有效
发明人：赵策;姜春生;袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该制备方法包括在基板上形成栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极和漏极；所述形成金属氧化物半导体有源层包括：形成包括第一图案、第二图案、第三图案，并与源极和漏极直接接触的氧化铟系二元金属氧化物图案层；以形成在源极和漏极上方的绝缘层为阻挡层，采用离子注入技术向氧化铟系二元金属氧化物图案层注入金属掺杂离子，并进行退火处理，将第三图案的二元金属氧化物转化为多元金属氧化物半导体，形成金属氧化物半导体有源层
一种薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]用于锂二次电池的正极活性物质、制备其的方法和包括其的锂二次电池-CN202211184231.3在审
发明人：崔载灏;金直洙;卢美正;吉孝植;李智善 -专利权人： SK新能源株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明的用于锂二次电池的正极活性物质包括锂‑镍复合金属氧化物颗粒，每个锂‑镍复合金属氧化物颗粒都具有其中一次颗粒聚集的二次颗粒结构。锂‑镍复合金属氧化物颗粒包括第一元素和第二元素，第一元素包括选自B、Al、Si、Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Mo和W中的至少一种元素，第二元素的离子半径为80pm以上。第二元素不同于镍和第一元素。第二元素存在于二次颗粒的外表面上、一次颗粒之间的晶界处以及一次颗粒的内部。
用于二次电池正极活性物质制备方法包括

[发明专利]一种蛋黄-蛋壳结构的二元过渡金属氧化物及其制备方法-CN201910866917.2有效
发明人：施梅勤;秦雨;方军 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种蛋黄‑蛋壳结构的二元过渡金属氧化物及其制备方法。所述的制备方法为：将过渡金属氯化物溶于无水乙醇中配置成0.02～0.04g/mL的过渡金属氯化物的乙醇溶液，将钒盐溶于无水乙醇中配置成0.013～0.026g/mL的钒盐的乙醇溶液，然后将所述的过渡金属氯化物溶液和钒盐溶液混合均匀置于高压反应釜中，在0～50bar反应压力下，在180～200℃下反应3～24h，反应结束后，得到反应产物经后处理得到蛋黄‑蛋壳结构的二元过渡金属氧化物。所述的蛋黄‑蛋壳结构的二元过渡金属氧化物经过硫化得到具有稳定蛋黄‑蛋壳结构的二元过渡金属硫化物，应用于析氢反应。
一种蛋黄蛋壳结构二元过渡金属氧化物及其制备方法

[发明专利]锂离子电池负极材料二元金属氧化物及其制备方法-CN201811143811.1有效
发明人：张宝;王春辉;欧星;张佳峰 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：锂离子电池负极材料二元过渡金属氧化物及其制备方法，所述二元过渡金属氧化物的化学通式为AB2O4，或AB二元过渡金属氧化物的制备方法。本发明利用室温液相法制备二元过渡金属氧化物负极材料，可显著的降低制备能耗及成本，简化合成工艺，为该类材料实现大规模工业化生产提供可能。
锂离子电池负极材料二元金属氧化物及其制备方法

[发明专利]一种二元过渡金属氧化物与氧化石墨烯复合材料及其制备方法和钠离子电池-CN201910803125.0在审
发明人：唐玉蝶;张海燕;程奥;陈建飞 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及电池材料技术领域，尤其涉及一种二元过渡金属氧化物与氧化石墨烯复合材料及其制备方法和钠离子电池。本发明提供了一种二元过渡金属氧化物与氧化石墨烯复合材料的制备方法，该制备方法中，经水热反应之后，氧化石墨烯的表面原位生长出普鲁士蓝类似物，使得普鲁士蓝类似物与氧化石墨烯结合的更加紧密，进而电池在充放电过程中更加稳定，从而提高了氧化石墨烯复合材料的电化学性能。氧化石墨烯经水热反应之后，得到三维氧化石墨烯，使得复合材料的比表面积增大，从而有效的缓解了二元过渡金属氧化物的体积膨胀，同时有效防止了二元过渡金属氧化物的团聚，提高了复合材料的电导率和循环性能。
氧化石墨烯复合材料过渡金属氧化物制备类似物热反应表面原位生长电导率充放电过程电化学性能钠离子电池电池材料体积膨胀循环性能三维电池团聚缓解

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