[发明专利]单片线性光耦合器无效

申请号：	96195016.1	申请日：	1996-03-19
公开（公告）号：	CN1099137C	公开（公告）日：	2003-01-15
发明（设计）人：	戴维·惠特尼	申请（专利权）人：	西门子微电子公司
主分类号：	H01L31/173	分类号：	H01L31/173
代理公司：	北京市柳沈律师事务所	代理人：	黄小临
地址：	美国加利***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	一种单片光耦合器，它具有发光二极管，用于发射光线；第一光电二极管，用于根据它感测的光产生电流；第二光电二极管，用于根据它感测的光产生电流；以及绝缘体，用于使所述发光二极管与所述第一光电二极管电绝缘。所述绝缘体对所述发光二极管发出的光基本透明。所述第二光电二极管围绕所述发光二极管，并且所述第一光电二极管围绕所述第二光电二极管，使得由发光二极管发出的光的各方向不均匀性得到补偿。
搜索关键词：	单片线性耦合器
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【主权项】：

1.一种单片线形光耦合器，包括：(a)发光二极管，用于发射光线；(b)与所述发光二极管在同一单片上形成的第一光电二极管，用于根据其感测的光产生电流；(c)与所述发光二极管在同一单片上形成的第二光电二极管，用于根据其感测的光产生电流；以及(d)绝缘体，用于使所述发光二极管与所述第一光电二极管电绝缘，所述绝缘体对于由所述发光二极管发射的光透明，其特征在于所述第二光电二极管围绕所述发光二极管，并且所述第一光电二极管围绕所述第二光电二极管，使得由所述发光二极管发出的光的各方向不均匀性得到补偿。

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申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/173
摘要：本公开的实施例涉及光电装置。光电装置包括具有光发射器的衬底和由衬底支撑的光检测器。光发射器和光检测器彼此上下堆叠。光发射器和光检测器中的至少一项由包括以下层顺序的堆叠形成：第一电极层、空穴传输层、量子纳米结构层(例如半导体纳米颗粒层、量子点层、量子棒层或量子阱层)、电子传输层和第二电极层。绝缘层处于堆叠中的光发射器和光检测器之间。

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摘要：本申请公开了一种可用于非侵血糖检测的集成芯片及穿戴设备，本申请技术方案将光传输组件、多个发光波段的不同的光源芯片以及多个用于探测不同波段的探测器集成在同一芯片中，形成一种单片混合集成芯片。本申请技术方案，通过多个发光波段的不同的光源芯片以及多个用于探测不同波段的探测器，可以实现宽光谱的血糖参数检测，提高了分辨率以及测试准确度；通过布局芯片内传输组件，实现芯片内传输光路设计；而且可以基于同一SOI实现光传输组件、光源组件以及光探测组件的混合集成工艺实现单芯片集成，便于设备小型化，能够降低设备体积和功耗，适用于穿戴设备小型化以及低功耗的设计需求。

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摘要：本发明揭示了一种基于多波导型定向耦合器的集成式芯片及其制备方法，所述芯片以晶圆为载体，所述晶圆上设置有发光二极管器件，所述发光二极管器件的出光端依次设置有调节组件及光电探测器，所述调节组件由多波导型定向耦合器及与置于所述多波导型定向耦合器上方，且与所述多波导型定向耦合器垂直相交的聚二甲基硅氧烷微流体通道构成。本发明采用以上技术方案与现有技术相比，产生的有益效果为：可以有效且快速的监测出待测液体的折射率等物理参数。

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申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/173
摘要：本发明是一种基于表面等离激元增强的高速光子集成芯片及制备方法，芯片以硅衬底LED外延片为载体，在硅衬底LED外延片上设置LED器件和光电探测器，LED器件和光电探测器之间通过波导相连，LED器件和光电探测器分别包括p‑n结、p型电极和n型电极。本发明将表面等离激元增强的LED器件、光波导和表面等离激元增强的光电探测器集成在同一芯片上，LED器件发出的光，侧向耦合进光波导，通过光波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，表面等离激元耦合作用可以提高LED器件的调制带宽和光电探测器的响应度，同时增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，最终实现高速光子集成芯片。

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发明人： J·斯特克尔;K·罗什罗 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/173
摘要：本公开的实施例涉及光电装置。光电装置包括具有光发射器的衬底和由衬底支撑的光检测器。光发射器和光检测器彼此上下堆叠。光发射器和光检测器中的至少一项由包括以下层顺序的堆叠形成：第一电极层、空穴传输层、量子纳米结构层(例如半导体纳米颗粒层、量子点层、量子棒层或量子阱层)、电子传输层和第二电极层。绝缘层处于堆叠中的光发射器和光检测器之间。

一种红外光微型振动监测芯片及其制备方法-202110354194.5
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申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L31/173
摘要：本发明揭示了一种红外光微型振动监测芯片及其制备方法，所述芯片包括一印刷线路板，所述印刷线路板上设置有晶圆，所述晶圆包括磷化铟衬底及设置于所述磷化铟衬底上的多量子阱外延层，所述多量子阱外延层内设置有红外光发射部件和红外光接收部件，所述红外光发射部件与所述红外光接收部件通过导线与所述印刷线路板连接。本发明采用以上技术方案与现有技术相比，产生的有益效果为：本发明的芯片对测量空间稳定性和几何光路尺寸的要求大幅度降低，安装操作方便，使用单个光电子芯片进行振动监测，成本低，操作方便，适用于多种不同的工作环境。

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申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L31/173
摘要：本发明涉及一种光电传感器(1)，包括：发射辐射的半导体区域(2)；探测辐射的半导体区域(3)；第一偏振过滤器(4)，其布置在发射辐射的半导体区域(2)之上并具有第一偏振方向(P1)；和第二偏振过滤器(5)，其布置在探测辐射的半导体区域(3)之上并具有第二偏振方向(P2)，其中第一偏振方向和第二偏振方向彼此垂直，并且其中将反射辐射或吸收辐射层(8)设置在发射辐射的半导体区域(2)的和/或探测辐射的半导体区域(3)的和/或第一偏振过滤器(4)的和/或第二偏振过滤器(5)的侧边处。

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摘要：本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度，适用于光电隔离器的集成技术领域。

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摘要：本申请涉及单芯片收发光电组件和模块、光电系统及电子设备。根据一实施例，一种光电组件可包括：多个光电单元，形成于相同的外延片上，每个光电单元包括相同的层结构和层材料；以及驱动电路，用于驱动所述多个光电单元；其中，取决于所述驱动电路提供的驱动信号，每个光电单元被用作发光单元或光电探测单元。本申请的光电组件中的多个光电单元可以通过同一工艺制成，并且每个光电单元可以通过正向偏置或反向偏置驱动而兼用作发光单元和光电探测单元，从而以低成本实现了结构紧凑并且功能丰富的光电组件。

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摘要：一种硅衬底氮化物多量子阱同质集成的电光调制器及制备方法，实现载体为带有多量子阱结构的硅衬底氮化物晶片，带有多量子阱结构的硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于其上方的包含多量子阱结构的氮化物外延层，氮化物外延层上设置有作为单波长光源、带有布拉格反射镜的波导型电光调制模块及光电探测器。本发明在悬空薄膜结构上实现了光源、电光调制模块和光电探测器的集成，在同质集成的电光调制器内可见光传输损耗和传输泄露低，能够对光信号进行高自由度和高响应速度的操控和调制。应用于光通信网络中，有利于提升可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。

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摘要：本发明涉及一种光电集成器件及其制备方法。该制备方法包括：在所述衬底上生长P掺杂Ge埋层、本征GeSn层、N掺杂Ge层、N掺杂Si层和保护层；刻蚀第一指定区域的所述保护层、所述N掺杂Si层以及所述N掺杂Ge层分别形成LED和探测器的负电极区域；刻蚀第二指定区域的所述第一GeSn区、所述第二GeSn区以及所述第三GeSn区分别形成LED和探测器的正电极区域、锥形波导以及所述锥形波导两侧的隔离沟槽；在所述隔离沟槽中生长隔离层，在所述锥形波导上生长覆盖层；形成金属电极最终制备出所述光电集成器件。本发明利用Si基改性Ge材料，形成Si衬底上发光器件、波导以及探测器件的同层单片光电集成器件，器件结构新颖、器件集成度高、工艺成本低。

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发明人： A·别索诺夫;D·柯顿;A·罗宾逊 -专利权人：诺基亚技术有限公司
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/173
摘要：一种装置(201)包括发光器件(202)和光电检测器(203)，发光器件(202)和光电检测器(203)在单个流体可渗透基底(206)上形成，以使得光电检测器(203)能够检测由发光器件(202)发射的光在与装置(201)的用户相互作用之后的所述光。光电检测器包括可由石墨烯制成的沟道构件(207)、相应的源电极和漏电极(208、209)；光敏材料层(210)，其被配置为在暴露在来自发光器件(202)的光中时改变流过沟道构件(207)的电流；以及栅电极(211)。装置(201)还包括流体不可渗透介电材料层(212)，其被配置为阻止光电检测器(203)的沟道构件(207)与栅电极(211)之间的电流的流动，以使沟道构件(207)的电导率能够由施加到栅电极(211)上的电压控制；以及阻止发光器件(202)暴露在已渗透通过流体可渗透基底(206)的流体中。流体不可渗透介电材料层(212)允许使用由聚合物材料制成的弹性基底而避免由所渗透的流体导致的对覆盖组件的损害的风险。流体不可渗透介电材料层(212)的双重功能减少了用于形成装置(201)的制造步骤的数量，并且使得得到更薄、更紧凑的设备。

一种具有发射和接收光信号功能的芯片-201820092267.1
发明人：陈勘;张翼;刘大为 -专利权人：西安中为光电科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L31/173
摘要：本实用新型公开了一种具有发射和接收光信号功能的芯片，包括衬底、探测器芯片和对称设置在衬底中心两侧的LED外延层，衬底的中心处设置有第一焊垫，探测器芯片焊接在第一焊垫上，LED外延层和探测器芯片的上方均设置有电极。本实用新型将光信号的发射和接收功能集成在一颗芯片上，反馈回的光可以按照发光光路原路返回，不用进行二次光路设计，节省了很大的光路设计费用，而且发射和接收光信号功能集成在一个器件上，体积减小，更有利于产品高集成。

光反射器-201580085223.5
发明人：大野文昭;小池诚二 -专利权人：新日本无线株式会社
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L31/173
摘要：本发明实现一种光反射器，其可缩短距检测对象物的距离，对更近的检测对象物进行位置检测，能有助于配置空间的缩小化。光反射器(10)具备：板状的基板(11)、安装于基板(11)的发光元件(13)及受光元件(14)、密封发光元件(13)及受光元件(14)的透光性树脂层(12)、以及设置于发光元件(13)与受光元件(14)之间的遮光部(21)，遮光部(21)形成为能使光的一部分在发光元件(13)与受光元件(14)之间经由透光性树脂层(12)直接进行收发的高度。

基于悬空p‑n结量子阱的光致晶体管及其制备方法-201610132116.X
发明人：王永进;袁威;高绪敏;蔡玮;白丹;许银;朱桂遐;袁炜 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L31/173
摘要：本发明提供一种基于悬空p‑n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本发明中，晶体管一端作为LED光源，另一端作为光电探测器，由于两个器件之间优异的光谱匹配特性，光电探测器能够感知LED器件发出的光，将光信号转成电信号输出，从而实现器件的光致晶体管特性；该晶体管作为两个共地的LED光源，独立地传输被调制的光信号，实现可见光无线通信的双通道发射；本发明晶体管可以作为两个共地的光电探测器，独立地感知空间光信号，实现可见光无线通信的双通道探测。

一种基于标准CMOS工艺的混合光互连系统-201610912164.0
发明人：毛陆虹;丛佳;谢生;肖谧;郭维廉 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/173
摘要：一种基于标准CMOS工艺的混合光互连系统，包括基底，所述基底的上表面上设置有二氧化硅体，所述二氧化硅体内位于上部设置有用于反射光的金属层，所述二氧化硅体内且在基底的上表面上由下至上依次设置有起隔离作用的栅氧层和用于发光的多晶硅LED，所述的基底内临近上表面且位于栅氧层和多晶硅LED的一侧设置有用于接收从所述金属层所反射的光的单晶硅PD。本发明能够将输入的电信号通过多晶硅LED发光转化成光信号,然后光信号经过金属反射被单晶硅光电探测器转换成电信号输出。本发明能够在不增加集成电路制造成本基础上，实现芯片上光通信的同时有效的减少光传输路程，减少电干扰。

一种光探测植入式传感器及其制作方法及其控制系统-201510043471.5
发明人：胡启方;徐小宇;陈岚;任卓翔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L31/173
摘要：本发明公开了一种光探测植入式传感器及其制作方法及其控制系统，所述传感器包括发光器件，所述发光器件用于向人体组织内发射设定强度的探测光线；感光器件，所述感光器件用于获取经过人体组织反射后的探测光线的光强信息；其中，所述发光器件与所述感光器件形成在同一衬底的正面。所述传感器的发光器件与感光器件采用同一衬底制备，提高了传感器的集成度，降低了体积。本申请所述制作方法能够制备所述传感器，制作工艺简单，所述控制系统采用所述传感器，控制方法简单，植入创伤小。

内建光障组件的封装结构、光学封装结构及其形成方法-201510475894.4
发明人：许峯荣;杨祝原;许源卿;张夷华 -专利权人：昇佳电子股份有限公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L31/173
摘要：本发明公开了一种内建光障组件的封装结构、光学封装结构及其形成方法。所述内建光障组件的封装结构包含基板、发光组件、感光组件、光障组件、以及封装材料。所述发光组件位于所述基板上并用于发出光讯号。所述感光组件位于所述基板上并用于接收所述光讯号。所述光障组件位于所述基板上以及位于所述发光组件与所述感光组件之间，而用于屏障多余的所述光讯号。所述封装材料用来完全覆盖所述发光组件与所述感光组件，而使得所述光障组件完全位于所述封装材料中。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]单片线性光耦合器无效

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