[发明专利]具有过量的A－位及B－位调节剂的ABO3薄膜及其制造方法

摘要

一种制造集成电路电容器(10，20，30)的方法，其中用的介电层(15，26，37)包括具有添加的过量的A-位和B-位材料，如钡及钛的BST。制备一种有机金属皂或金属皂前体溶液(P42)，前体溶液包含掺入过量的A-位及B-位材料如钡及钛的纯度高于99.999％的BST备用溶液，钡的含量为0.01-100mol％，钛的含量为0.01-100mol％。然后进行二甲苯交换(P44)来调节对基底转涂用的溶液的粘度。前体溶液转涂在第1个电极上(P45)，在400℃干燥(P46)2到10分钟，然后在650℃到800℃热处理(P47)约1小时以形成含过量的钛的BST层。淀积(P48)上第2个电极，刻制图形(P49)并在650℃及800℃之间热处理约30分钟。所得的电容器(10，20，30)的介电常数增大，而漏电电流几乎不变。

主权项

1.一种制造用于集成电路(10，20，30)的钛酸钡锶层的方法，其中所述钛酸钡锶层(15，26，37)包含超过形成由式ABO3定义的钛酸钡锶层所必需的B-位材料的化学计算量的B-位材料，所述方法包括提供(P42)一种含钡、锶和钛的初始液态前体的步骤；其中钡和锶是A-位材料和钛是B-位材料，钡、锶和钛以形成所述化学计量的钛酸钡锶的量存在，所述方法的特征在于下列步骤：掺入(P42)过量的B-位材料到所述初始液态前体中以制成一种溶液，所述的过量的B-位材料选自Cr、Zr、Ta、Mo、W和Nb，其量为所述化学计算量的B-位材料的量的0.01％-100％；将该溶液涂布(P45)在基底上；使该溶液干燥；和将该溶液在氧中加热(P46，P47)以形成含过量的B-位材料的钛酸钡锶层。