[发明专利]输入缓冲器无效
| 申请号： | 93119655.8 | 申请日： | 1993-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1040056C | 公开（公告）日： | 1998-09-30 |
| 发明（设计）人： | 韩圣禛;郭忠根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的输入缓冲器包括一个使用一上拉晶体管和一下拉晶体管以缓冲输入信号的缓冲装置和一个连接在用于缓冲装置中的上拉晶体管与下拉晶体管之间用于接收启动信号以防止输出高电平电压因电源电压变动而起伏的补偿器。因此能够防止由电源电压变动所引起的高逻辑电平输出电压的起伏。 | ||
| 搜索关键词： | 输入 缓冲器 | ||
【主权项】：
1.一种输入缓冲器，它具有一个其源极与电源电压相连而栅极与一启动信号相连的PMOS晶体管(5)、一个其源极与上述PMOS晶体管的漏极相连而栅极与一输入信号节点相连的PMOS晶体管(6)、一个其漏-源通路连接于一输出信号节点和一接地电压之间而其栅极与上述输入信号节点相连的NMOS晶体管(7)，以及一个其漏-源通路连接于上述输出信号节点和接地电压之间而其栅极与上述启动信号相连的NMOS晶体管(8)，其特征在于所述输入缓冲器还包括：一个连接在PMOS晶体管(6)的漏极和上述输出信号节点之间的PMOS晶体管(14)；一个其漏-源通路连接于上述PMOS晶体管(14)的栅极和一接地电压之间而栅极与电源电压相连的NMOS晶体管(13)；一个其源极与电源电压相连而其栅极与上述启动信号相连的PMOS晶体管(9)；以及连接在上述PMOS晶体管(9)和NMOS晶体管(13)的漏极之间的多个PMOS晶体管(10、11、12)，它们各自的栅极和漏极彼此相连。
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