[发明专利]一种钙钛矿/色素敏化修饰太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202310922429.5 | 申请日： | 2023-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN116723710A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 侯山月;马柱;黄跃龙;李炎林;马鑫浩;杜卓维;陈义;羊俊波;游伟 | 申请（专利权）人： | 西南石油大学 |
| 主分类号： | H10K30/80 | 分类号： | H10K30/80;H10K30/30;H10K30/50;H10K71/12;H10K85/50;H10K71/40 |
| 代理公司： | 安徽新越诚途专利代理事务所(普通合伙) 34261 | 代理人： | 朱清韵 |
| 地址： | 610599 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及钙钛矿太阳能电池领域，公开了一种钙钛矿/色素敏化修饰太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池由上到下依次包括导电玻璃衬底、电子传输层、钙钛矿光吸收层、植物色素有机修饰层、空穴传输层、金属电极层，通过在钙钛矿太阳能电池中设置植物色素有机修饰层，利用植物色素中未成键的孤对电子可以与钙钛矿活性层晶界和晶面上不配位的Pb |
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| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 色素 修饰 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 一种EDTA-2Na改性电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-202211139919.X
- 孟军华;吴瑞;李艳敏 - 北京工业大学
- 2022-09-20 - 2023-03-07 - H10K30/80
- 一种EDTA‑2Na改性电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法属于钙钛矿太阳能电池领域。该钙钛矿太阳能电池自下而上依次包括：衬底、透明导电电极、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、氧化钼层、顶金属电极，其中电子传输层材料为EDTA‑2Na改性的SnO
- 一种钙钛矿太阳能电池和钙钛矿太阳能组件-202110988581.4
- 解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆;刘童 - 隆基绿能科技股份有限公司
- 2021-08-26 - 2023-03-03 - H10K30/80
- 本发明实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池和钙钛矿太阳能电池组件，所述钙钛矿太阳能电池包括：光吸收层、上转换层、用于收集相反类型载流子的第一导电层和第二导电层以及用于传输相反类型载流子的第一传输层和第二传输层，所述第一导电层为透明导电层，其中，所述第一传输层设于所述第一导电层和所述光吸收层之间，所述第二传输层设于所述上转换层和所述第二导电层之间，所述上转换层设于所述光吸收层远离所述第一传输层的一侧；所述上转换层为发光掺杂剂的卤化物钙钛矿结构件，所述光吸收层为包含钙钛矿结构件。可以有效提高所述钙钛矿太阳能电池的能量转换效率。
- 一种叠层光伏器件-202111000183.3
- 吴兆;徐琛;李子峰;解俊杰;刘童 - 隆基绿能科技股份有限公司
- 2021-08-27 - 2023-03-03 - H10K30/80
- 本申请提供了一种叠层光伏器件，涉及太阳能光伏技术领域。其中，叠层光伏器件包括钙钛矿吸收层、晶体硅吸收层，及串联两吸收层的单层电学功能层，钙钛矿吸收层与单层电学功能层的接触界面为第一串联界面，晶体硅吸收层与单层电学功能层的接触界面为第二串联界面；其中，第二串联界面处的导电类型与第一串联界面处的导电类型不同，且功函数的差值≥‑0.3eV，且≤0.3eV。由于叠层光伏器件的钙钛矿吸收层与晶体硅吸收层在接触界面处功函数的差值≥‑0.3eV，且≤0.3eV，因此，两吸收层功函数匹配，避免了功函数失配造成的电压损失，且中间串联结构无需能带缓冲为单层，可以降低由于多层电学功能层引入导致的载流子寄生性吸收，降低由界面电阻和缺陷引入的传输损失。
- 一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法-202211292130.8
- 张文君;石磊;付超 - 杭州众能光电科技有限公司
- 2022-10-21 - 2023-01-13 - H10K30/80
- 一种采用金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法以及制备方法摘要本发明公开了一种采金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法以及制备方法。属于新材料太阳能电池领域，在现有的反式平板结构的薄膜光电器件中，导电基底与空穴传输层都是简单的物理叠加，导电基底与空穴传输层的接触电阻较大，电荷传输损失比较大，限制电池光电转换效率的提升，针对该问题，本发明提供了一种采金属氧化物复合隧穿层的薄膜光电器件及其制备方法，其结构为ITO透明导电层，原位制备ITO‑金属氧化物复合隧穿层，金属氧化物空穴传输层，接着制备有机无机杂化半导体薄膜，随后沉积电子传输层，接着沉积一层界面修饰层，最后沉积一层电极层,所述ITO‑金属氧化物复合隧穿层，使得ITO和金属氧化物层能有着良好的欧姆接触，提高了ITO/金属氧化物界面的电荷传输效率，减低了非辐射复合导致的效率损失，改善了反式薄膜光电器件的光电转换性能，有利于实现薄膜光电器件产业化。
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