[发明专利]制备空腔的方法在审
| 申请号： | 202310915375.X | 申请日： | 2023-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN116946967A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 娄迅;杨兆宇;胡勇 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 田玉珺;毛威 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种制备空腔的方法，能够提高空腔的制备质量。所述方法包括：将SOC材料涂覆在衬底上形成牺牲层，并对所述牺牲层进行图形化；在图形化的所述牺牲层上沉积形成支撑层，并在所述支撑层制作与所述牺牲层连通的释放孔；通过所述释放孔，采用氧等离子体刻蚀工艺去除所述牺牲层，以形成所述空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 空腔 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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