[发明专利]一种单晶金刚石同质拼接及界面低应力调控方法在审
| 申请号： | 202211263691.5 | 申请日： | 2022-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN115573042A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王强;白洁;刘镭;卢月林;唐鹏;张川东;朱焕能;郑森杰 | 申请（专利权）人： | 重庆交通大学 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C30B25/18;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吕小琴 |
| 地址： | 400074 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单晶金刚石同质拼接及界面低应力调控方法，在单晶金刚石籽晶连接界面采用金属催化法生成SiC纳米线,金属催化生长的SiC纳米线穿过金刚石晶体结构将单晶金刚石籽晶进行柔性连接；在单晶金刚石籽晶连接界面采用金属催化法生成SiC纳米线，以实现单晶金刚石微观柔性连接，这种异质连接界面稳定且能耐受金刚石生长的高温环境，且SiC纳米线在金刚石同质外延生长的全过程都保持了结构的完整性。通过SiC纳米线将单晶金刚石籽晶进行柔性连接，将有利于缓解单晶金刚石拼接界面同质外延生长时的应力累积效应，较大程度地减轻拼接界面的生长应力水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 同质 拼接 界面 应力 调控 方法 | ||
【主权项】：
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