[发明专利]三维存储器装置中的数据线在审
| 申请号： | 202210965780.8 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115915764A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 胡怡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及三维存储器装置中的数据线。各种应用可包含具有存储器装置的设备，所述存储器装置具有用于所述存储器装置的存储器胞元的垂直串阵列及耦合到所述垂直串的数据线，其中所述数据线已通过金属衬层沉积过程形成。在所述金属衬层沉积中，可在图案化电介质区上形成金属。所述金属衬层沉积过程允许通过选择用于形成金属衬层的所述电介质区的厚度来很好地控制所述数据线的高度的构造。金属衬层沉积的使用提供一种受控机制以通过能够在形成所述数据线时选择衬层厚度来减小数据线电容。所述电介质区与所述金属衬层沉积的使用可允许制造所述数据线以避免双节距或四节距过程。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 装置 中的 数据线 | ||
【主权项】：
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