[发明专利]一种改善晶硅氧化铝绕镀的PECVD工艺有效
| 申请号： | 202210563225.2 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114921771B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李洁鹏;彭平;范新川;黄志明;夏中高;李旭杰 | 申请（专利权）人： | 平煤隆基新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 郑州隆盛专利代理事务所(普通合伙) 41143 | 代理人： | 何强 |
| 地址： | 461000 河南省许*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种改善晶硅氧化铝绕镀的PECVD工艺，硅片进炉管后迅速抽真空、检漏，在硅片正面镀上一层薄的氮化硅，从而将正面绕镀的氧化铝快速保护起来，以改善绕镀在正面的氧化铝在炉管中被污染的情况；同时由于只做了一层较薄的氮化硅层，也避免了初期升温时间不够淀积氮化硅出现四周边缘色差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 氧化铝 pecvd 工艺 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
