[发明专利]基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器在审
| 申请号： | 202210320603.4 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114744062A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘美萍;唐勇;刘文富;白柳杨 | 申请（专利权）人： | 黄淮学院 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328;H01L31/0352;H01L31/109 |
| 代理公司： | 苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙) 32344 | 代理人： | 高泽民 |
| 地址： | 463100 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器，本发明属于光电探测器技术领域。本发明的电极探测器，包括隔离硅体，所述隔离硅体采用二维材料InSe/GaAs异质结材料，所述二维材料InSe/GaAs异质结为直接带隙的II型异质结构，所述II型异质结构包括Ga端接触的异质结构和As端接触的异质结构；所述Ga端接触的异质结构的带隙为0.62‑1.32eV，所述As端接触的异质结构的带隙为1.84‑1.95eV。二维材料InSe/GaAs异质结相对比单层InSe载流子迁移率大大提升，异质结构扩宽了光吸收范围，增加了对可见光和红外线区域的吸收增强。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 材料 inse gaas 异质结 三维 沟槽 电极 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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