[发明专利]一种异质结电池的制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种异质结电池的制备方法，该方法包括：提供半导体衬底层，在所述半导体衬底层至少一侧形成掺杂非晶硅膜；对所述掺杂非晶硅膜在富氧条件下进行晶化处理，使所述掺杂非晶硅膜形成掺杂微晶硅膜。本发明的异质结电池的制备方法中，掺杂微晶硅膜由掺杂非晶硅膜晶化后形成，采用沉积非晶硅膜而后再微晶化的方式，其设备成本相对于直接沉积微晶硅膜的设备成本较低，且非晶硅膜晶化工艺简单，可显著降低生产成本。