[发明专利]铜柱或凸块直接在FET上的FET构造在审
| 申请号： | 202180084548.7 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN116601745A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | M·K·杰恩 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 李尚颖 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 披露了一种形成半导体器件(200)的方法，所述半导体器件的金属柱(260)与第一顶部金属互连件(222)和第二顶部金属互连件(220)重叠。与第一顶部金属互连件(222)和第二顶部金属互连件(220)重叠的金属柱(260)通过顶部金属过孔(244)连接至第一顶部金属互连件(222)，而第二顶部金属互连件(220)不包含顶部金属过孔并且保持没有与金属柱(260)直接电连接。金属柱(260)在没有金属键合焊盘的情况下直接附接到顶部金属过孔(244)。键合焊盘层的消除减少了器件(200)的掩模数、加工和成本。另外，键合焊盘的消除降低了金属柱(260)的管芯面积要求。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 fet 构造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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