[发明专利]通过背侧蚀刻的超导Q度寿命和相干改善在审
| 申请号： | 202180038577.X | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115843471A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | D·吉尔;M·桑博格;V·阿迪格;Y·马丁;H·佩克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H10N69/00 | 分类号： | H10N69/00;H10N60/81;G06N10/20 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于改进量子机械器件中的量子位的寿命和相干时间的方法，包括：提供具有形成在前侧上的至少一个量子位的衬底，该至少一个量子位具有电容器衬垫；以及在与该量子位相对的区域处从背侧去除衬底材料和/或者在与该量子位相对的背侧区域处沉积超导金属层，以减少由于硅‑空气(SA)界面、金属‑空气(MA)界面或硅‑金属(SM)界面中的至少一个引起的射频电流损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 蚀刻 超导 寿命 相干 改善 | ||
【主权项】：
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