[发明专利]生长较大金刚石的方法在审
| 申请号： | 202180021325.6 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN115605637A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | J·P·西拉尔多;J·莱文-迈尔斯 | 申请（专利权）人： | M7D公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/04;C01B32/25 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 宋珂;褚瑶杨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法形成一个或多个金刚石。该方法提供了具有气体环境的生长室。将单晶金刚石基板置于生长室内。在单晶金刚石基板上沉积金刚石材料以用于外延生长。单晶金刚石基板具有给定的晶体取向。在规定温度、规定压力以及对于所述气体环境规定的气体含量下持续生长。规定的气体环境具有大于约0.5ppm且小于约5.0ppm的氮浓度。规定温度大于约650℃且小于约950℃。规定压力大于约130托且小于约175托。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 较大 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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