[发明专利]基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器、制备和性能调控方法与应用在审
| 申请号： | 202111572994.0 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114300615A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 曾翔宇;汪小知;李梦露;刘雨露;王浩彬 | 申请（专利权）人： | 海宁市产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 浙江永航联科专利代理有限公司 33304 | 代理人： | 江程鹏 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器、制备和性能调控方法与应用。所述方法包括：在衬底层上制备下电极；在所述下电极上制备二维金属材料层，通过氧气退火制得二维金属材料其氧化物的介质层；采用与制备下电极相同方法制备上电极，使上电极层与下电极层在竖直方向上的投影相互交叠得到基于二维金属材料及其氧化物的忆阻器。此外还提供了通过调控氧化退火时间控制忆阻器性能的方法，并制备对应的忆阻器。本发明得到的忆阻器体积小、性能可控，利于集成，可以应用于新型储存器件、人造突触、模拟电路、人工智能计算机等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 金属材料 及其 氧化物 忆阻器 制备 性能 调控 方法 应用 | ||
【主权项】：
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