[发明专利]一种新型微晶-晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111490927.4 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114188432A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 白焱辉;杨立友;王继磊;黄金;鲍少娟;师海峰;杨文亮;冀杨洲;高英杰;潘国鑫;贾慧君 | 申请（专利权）人： | 晋能清洁能源科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0725;H01L31/20 |
| 代理公司： | 山西晋扬知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14125 | 代理人： | 张学元 |
| 地址： | 032100 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型微晶‑晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法，包括硅衬底，所述硅衬底的一面依次叠加设置正面本征非晶硅层、正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、正面TCO层，所述硅衬底的另一面依次叠加设置背面本征非晶硅层、背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、背面TCO层，在所述正面本征非晶硅层和所述正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置正面本征微晶硅/纳米晶硅层，和/或在所述背面本征非晶硅层和所述背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置背面本征微晶硅/纳米晶硅层。本发明的有益效果在于，可以提高200‑1150光波段的综合利用率，从而提高电池光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 晶硅叠层异质结 电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
