[发明专利]一种叠层TCO薄膜、硅异质结电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种叠层TCO薄膜，依次包括第一TCO薄膜层、第二TCO薄膜层和第三TCO薄膜层，其中，所述第一TCO薄膜层和第三TCO薄膜层为ITO薄膜层，第二TCO薄膜层为IWO或ICO薄膜层。本发明的叠层TCO薄膜，采用三叠层膜结构，近非晶硅与近金属电极端的TCO薄膜利用了不同ITO薄膜与非晶硅及金属电极能够形成良好接触的优势，中间主体TCO层利用了IWO或ICO薄膜低载流子浓度高载流子迁移率的优势，将该叠层TCO薄膜作为硅异质结电池的透明导电层，有利于降低电池电学和光学损失，提高电池短路电流密度和填充因子。