[发明专利]一种基于分立的耗尽型GaN器件的快充电路在审
| 申请号： | 202111156495.3 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114070081A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 宋亮;朱廷刚;范剑平;李亦衡 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335;H02J7/10 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 韩雪梅 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于分立的耗尽型GaN器件的快充电路，包括：交流电源、整流桥、输入电解电容、变压器、吸收电路、输出整流管、输出电容、负载、GaN HEMT管和低压silicon管；本发明采用分立的高压D mode GaN器件和低压silicon器件级联形式，并使用一个外置电容来补偿电容的不匹配，从而实现低压Silicon工作在合理的电压区间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 分立 耗尽 gan 器件 充电 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏能华微电子科技发展有限公司，未经江苏能华微电子科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111156495.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
