[发明专利]一种聚硅氧烷低介电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110909925.8 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113502056B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 朱庆增;张蒙蒙;刘继;卢杭 | 申请（专利权）人： | 山东大学;浙江新安化工集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C08L83/07 | 分类号： | C08L83/07;C08L83/04;C08L83/05;C08K5/14;C08G77/06;C08G77/20 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王素平 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种聚硅氧烷低介电材料及其制备方法。该聚硅氧烷低介电材料含有线性聚硅氧烷结构单元、碳链结构单元、聚倍半硅氧烷结构单元和空腔结构。本发明还提供了上述聚硅氧烷低介电材料的制备方法。本发明将合成的聚倍半硅氧烷空心微球引入聚硅氧烷聚合物，两种材料相容性好，降低了聚硅氧烷基体材料的介电常数，保持了聚硅氧烷材料的耐高低温性能、耐候性能和疏水性能，聚硅氧烷材料的介电常数在2.32～2.80范围内可以有效调控，可应用于5G技术领域及柔性微纳米器件和集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚硅氧烷低介电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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