[发明专利]电路板水平沉铜去胶工艺在审
申请号: | 202110873839.6 | 申请日: | 2021-07-30 |
公开(公告)号: | CN113652677A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 吴年升;赖俊崇 | 申请(专利权)人: | 江门市浩远电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C18/40 | 分类号: | C23C18/40;C23C18/20;H05K3/42 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 廖华均 |
地址: | 529080 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种电路板水平沉铜去胶工艺,电路板基材沿输送带水平输送,依次经过以下处理步骤:膨松、除胶、预中和、中和、清洁、微蚀、活化、还原、沉铜,最后经过风干后出板,得到电路板。本实施例的电路板水平沉铜去胶工艺所得镀层具有绝佳的镀层覆盖能力,采用本发明的水平沉铜去胶可以使内层铜与孔铜具有较佳的结合力,获得优良可靠的化学铜沉积层,对于盲孔、通孔均能沉积良好的化学铜层。此外,本实施例的电路板水平沉铜去胶工艺,电路板基材沿输送带水平输送进行各个加工步骤,自动化程度高,工人工作强度低,水平输送也便于对系统进行密封,减少对周边环境的影响。 | ||
搜索关键词: | 电路板 水平 沉铜去胶 工艺 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理