[发明专利]相位移掩模版、掩模版修补方法及设备

摘要

本申请提供一种相位移掩模版、掩模版修补方法及设备，涉及半导体制程技术领域。本申请在获取到对应掩模图案区域内存在遮光材料残留物的目标相移掩模版后，会针对该目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将遮光材料残留物构建为目标光栅结构，此时对目标相移掩模版中与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域来说，该第一相移区域的靠近目标光栅结构的区域表面将相对于目标光栅结构部分暴露，使目标相移掩模版中的第一相移区域能够恢复相位移效应及相消干涉功能，从而快速且有效地实现对具有遮光材料残留物的相移掩模版的修补作业，确保修补后的相移掩模版能够达到预期曝光效果。