[发明专利]一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110775166.0 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113506851B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 明建宇;陈雨婷;姚鸿巍;解令海;凌海峰 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;C23C14/12;C23C14/18;C23C14/24;C23C16/40;C23C16/455;C23C28/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢霞 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法，所述卟啉锌忆阻器从下至上依次包括底电极、有机阻变层、无机阻变层、顶电极，所述有机阻变层为小分子卟啉锌，所述底电极为氧化铟锡，所述顶电极为金属铝，其特征在于，所述无机阻变层为厚度6～10nm的非化学计量比氧化铝薄膜，所述非化学计量比氧化铝薄膜中氧原子和铝原子的数量比值即氧铝比为1.2～1.3。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化铝。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化铝薄膜，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其在拥有生物突触响应的同时，具有线性度良好的突触权重更新过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 卟啉 锌忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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