[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 202110735496.7 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113690325B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;朱迪;朱志佳 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/056;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括：基板和依次层叠于所述基板上的反射镜层、p电极层、p型欧姆接触层、电池层、n型AlGaInP层、n电极层和抗反射层；所述电池层包括依次层叠于所述p型欧姆接触层上的GaInAs电池层、第一隧穿结、GaInAsP电池层、第二隧穿结、GaAs电池层、第三隧穿结、AlGaAs电池层、第四隧穿结和AlGaInP电池层。本公开能降低太阳能电池的入射面的反光率且使得更多的入射光被吸收并转化，以改善太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
