[发明专利]一种多通道大面积高密度直流电弧等离子体源在审
| 申请号： | 202110695553.3 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113382525A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 丁洪斌;石劼霖;李裕;王勇;李聪;冯春雷 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H05H1/48 | 分类号： | H05H1/48;H05H1/02 |
| 代理公司： | 大连大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙) 21244 | 代理人： | 崔雪 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多通道大面积高密度直流电弧等离子体源，包括：阴极、阴极座、阳极和级联片单元，阴极固定于阴极座上，级联片单元设置在阴极座与阳极之间，级联片单元包括多个平行叠置的级联片；阴极座与级联片之间，相邻级联片之间，级联片与阳极间设置有绝缘件和真空密封橡胶圈；阴极座、级联片和阳极分别设置有七个通孔构成放电通道。本发明的放电通道产生的大面积高密度等离子体束流能用于等离子体与物质相互作用的科学研究及工业应用，特别是用于辐照大尺寸的聚变材料或装置部件。放电通道都能独立控制，调节不同通道的放电参数改变等离子体参数及束流的空间分布，能满足科学研究和工业应用，以及聚变堆中不同位置部件的模拟辐照实验条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 大面积 高密度 直流 电弧 等离子体 | ||
【主权项】：
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