[发明专利]一种铜薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110584597.9 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113293416B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘晓伟;杨宝朔;艾远 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D5/34 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 齐晨洁 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；步骤S2：对导电基底进行改性处理，改性处理方式为：在氮气或氩气中，用氙灯以1～5J/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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