[发明专利]一种控制氩退火片COP FREE深度的工艺在审
| 申请号： | 202110506475.8 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113421824A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王虎;杜金生;袁长宏;王彦君;孙晨光;谢江华 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/324;H01L21/67;H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 | 代理人： | 冷泠 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制氩退火片COP FREE深度的工艺，其实验工艺包括以下步骤：S1、首先将8寸直拉酸腐硅片、粗抛液、精抛液、去蜡剂、中抛液、氢氧化钾、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水、按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用；S2、然后将8寸直拉酸腐硅片放置到抛光机上进行硅片正面抛光处理，抛光过程中根据需要适当添加相应的抛光液，正面抛光处理完成后，可将称量配比好的8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、氢氧化钾、去离子水导入到清洗机内部对抛光硅片进行清洗处理，并在清洗过程中添加适当的清洗药液；S3、最后可将清洗完成后的8寸直拉酸腐硅片放置到强光灯下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 退火 cop free 深度 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
