[发明专利]一种闪烁晶体阵列抗辐照加固结构及抗辐照加固方法在审
| 申请号： | 202110484301.6 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113176604A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王强;丁雨憧;屈菁菁;王璐;赵静 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202;G01T7/00 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 李海华 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种闪烁晶体阵列抗辐照加固结构，在闪烁晶体阵列外表面包覆有中子吸收层，中子吸收层将闪烁晶体阵列除出光面的其余面包覆，在中子吸收层外表面包覆有中子慢化层，中子慢化层将中子吸收层外表面包覆；并公开了闪烁晶体阵列抗辐照加固方法，该方法从闪烁晶体阵列中子的屏蔽、闪烁晶体阵列中晶条抗X/γ辐照加固、闪烁晶体阵列中反射层材料抗X/γ辐照加固三方面对闪烁晶体阵列进行抗辐照加固，可实现抗X/γ累计辐射剂量≥10 |
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| 搜索关键词： | 一种 闪烁 晶体 阵列 辐照 加固 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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