[发明专利]一种控制增益掺杂剂分布的大模场光纤有效
申请号: | 202110482047.6 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113176626B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 李进延;张志伦;邢颍滨;戴能利;李海清;彭景刚 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G02B6/02 | 分类号: | G02B6/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 王颖翀 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种控制增益掺杂剂分布的大模场光纤,将纤芯分为不掺杂增益离子的无源区和掺杂增益离子的有源区,且增益离子的浓度在有源区呈高斯型分布。纤芯有源区高斯型掺杂能更好地促进基模的增益,纤芯无源区不掺杂增益离子又能更好地避免和抑制高阶模,因此不仅能提高常规光纤的横向模式不稳定阈值,又能保证良好的光束质量输出,为解决大模场光纤输出功率和光束质量受限提供了一条可行的途径。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 增益 掺杂 分布 大模场 光纤 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110482047.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种4AA的制备方法
- 下一篇:一种连接组件及连接结构