[发明专利]一种双MZ结构的低串扰光开关及光开关阵列有效
申请号: | 202110478692.0 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113238324B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 王菲;许崇前;尹悦鑫;张大明;王希斌;孙小强 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | G02B6/35 | 分类号: | G02B6/35;G02B6/12 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种基于片上硅基光电子学的双MZ结构的低串扰光开关及光开关阵列,属于集成光电子器件技术领域。由第一输入波导、第二输入波导、第一级2×2马赫泽德干涉仪、第二级2×2马赫泽德干涉仪、第一输出波导、第二输出波导和波导交叉单元组成;上述结构位于同一层,或第二输入波导、第一级2×2马赫泽德干涉仪、第一输出波导位于同一层,第一输入波导、第二级2×2马赫泽德干涉仪、第二输出波导位于另一层;进而由其可以构建N×N单层双MZ结构的低串扰光开关阵列和M×N×N多层光开关阵列。本发明可以构成多层结构光开关阵列,节约了面积,提高了器件的集成度;本发明基于标准的硅基平面集成光波导制作工艺,生产成本低,性能优越。 | ||
搜索关键词: | 一种 mz 结构 低串扰光 开关 阵列 | ||
【主权项】:
暂无信息
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