[发明专利]一种光电传感器芯片及其制备方法与光电传感器在审

专利信息
申请号: 202110476793.4 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113270510A 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 徐海华;江杰 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/113;H01L31/18
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 刘芙蓉
地址: 518061 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开一种光电传感器芯片及其制备方法与光电传感器,包括衬底,间隔设置在所述衬底上的源极、漏极和栅极,设置在所述源极和所述漏极之间的衬底上及所述源极和所述漏极上的有源层,设置在所述有源层上的介电层,所述有源层包括有机异质结材料和量子点材料。在有源层中引入量子点材料,量子点材料可作为电子运输过程中的缺陷中心,有效限制电子的运动,从而降低光电传感器的暗电流,提高光电传感器的灵敏度。同时引入电子缺陷态,降低电子的迁移率,从而提高光电传感器的光增益。本发明提供的制备方法简单,容易实现,具有较高的实用性和经济价值。
搜索关键词: 一种 光电 传感器 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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