[发明专利]一种光电传感器芯片及其制备方法与光电传感器在审
申请号: | 202110476793.4 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113270510A | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 徐海华;江杰 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/113;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 刘芙蓉 |
地址: | 518061 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开一种光电传感器芯片及其制备方法与光电传感器,包括衬底,间隔设置在所述衬底上的源极、漏极和栅极,设置在所述源极和所述漏极之间的衬底上及所述源极和所述漏极上的有源层,设置在所述有源层上的介电层,所述有源层包括有机异质结材料和量子点材料。在有源层中引入量子点材料,量子点材料可作为电子运输过程中的缺陷中心,有效限制电子的运动,从而降低光电传感器的暗电流,提高光电传感器的灵敏度。同时引入电子缺陷态,降低电子的迁移率,从而提高光电传感器的光增益。本发明提供的制备方法简单,容易实现,具有较高的实用性和经济价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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