[发明专利]顶针机构和除气腔室在审
申请号: | 202110433321.0 | 申请日: | 2015-01-28 |
公开(公告)号: | CN113161280A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 张伟;邱国庆;李强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京正和明知识产权代理事务所(普通合伙) 11845 | 代理人: | 冯志慧 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种用于除气腔室的顶针机构,所述顶针机构包括多个顶针、升降托架和升降装置,其中,所述升降装置的输出轴与所述升降托架相连,多个所述顶针间隔地设置在所述升降托架上,所述升降装置用于驱动所述顶针做升降运动;每个所述顶针均包括朝向所述升降托架的中部延伸的支撑部和向上延伸的限位部。本发明还提供一种除气腔室。由于顶针包括限位部,因此,在顶针将设置在加热件上的晶圆顶起时,晶圆被限制在多个顶针的限位部共同限定的区域内,并且由多个顶针的支撑部共同支撑,因此,晶圆不会从多个顶针上滑落,位置也不会发生偏移,从而避免了晶圆被机械手碰碎的风险。 | ||
搜索关键词: | 顶针 机构 气腔室 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造