[发明专利]一种提高中心导体性能稳定性的方法在审
| 申请号： | 202110422442.5 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113089041A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 丁正男;陈文波;唐定兵;廖杨 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第九研究所 |
| 主分类号： | C25D5/10 | 分类号： | C25D5/10;C25D3/38;C25D3/46;C25D7/00 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 黎仲 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高中心导体性能稳定性的方法，属于微波元器件技术领域，其方法为在中心导体表面先镀铜再镀银，其具体步骤包括上挂、化学除油、电解除油、酸洗、活化、氰化镀铜、预镀银、镀银等步骤，本发明通过在中心导体上先镀铜再镀银形成一定厚度的复合镀层的方法，利用铜层良好的导电性能及银层耐氧化性的特点可以有效保证中心导体的性能稳定性，同时复合镀层又减少了银的使用量，节约了材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 中心 导体 性能 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
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