[发明专利]一种高纯镓粒的制备方法在审
| 申请号： | 202110387746.2 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113102763A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李清宇;黄杰杰;何志达;朱刘 | 申请（专利权）人： | 清远先导材料有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/08 | 分类号： | B22F9/08 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 李琼芳;肖小龙 |
| 地址： | 511500 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及高纯金属技术领域，公开了一种高纯镓粒的制备方法。具体包括以下步骤：（1）提供制备高纯镓粒的装置；（2）将高纯镓放入手套箱，置于加热板上，使镓熔化待用；（3）对制粒管抽真空，再充氮气或惰性气体，取下制粒管顶部盲板，然后将漏斗放置在制粒管顶部；（4）开启循环冷却系统，使液体冷却剂充满产品收集槽和制粒管；（5）在手套箱内操作将镓液倒入漏斗中，使镓液滴入冷却剂中，在沉降过程冷凝成粒；（6）制粒完成后，将产品收集槽中的镓粒和冷却剂分离，镓粒放入手套箱过渡仓中抽真空、干燥，再进入主箱体中包装，得高纯镓粒产品。采用本发明方法能够制得氧含量低于1ppm，粒径为1~10mm、大小均匀，满足半导体掺杂要求的高纯镓粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 制备 方法 | ||
【主权项】：
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