[发明专利]一种大面积铝单晶薄膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202110369810.4 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN113106542B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 武彪;冯加贵;熊康林;陈建;孙骏逸;黄永丹;朱博杰;丁孙安;陆晓鸣 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B29/02;G06N10/20
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种大面积铝单晶薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括:将Si(111)衬底依次进行有机清洗、RCA1清洗、RCA2清洗、piranha溶液清洗及HF清洗,获得预处理后的Si(111)衬底;在真空条件下,将所述预处理后的Si(111)衬底置于分子束外延装置中表面处理,采用分子束外延技术在所述Si(111)衬底表面生长铝单晶薄膜,获得大面积铝单晶薄膜。本发明制备的Si(111)/Al单晶薄膜,与Si衬底传统工艺相比,实现了大面积Al单晶薄膜,没有孪晶,更可明显减少Si/Al界面C、H、O杂质含量,将谐振器本征品质因子提升到106,有助于制备高质量超导量子比特或超导量子计算机。
搜索关键词: 一种 大面积 铝单晶 薄膜 及其 制备 方法 应用
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