[发明专利]高洁净度APCVD成膜设备及其成膜方法在审
申请号: | 202110361674.4 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN113061877A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 戚定定 | 申请(专利权)人: | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/40;C23C16/46;C23C16/44 |
代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人: | 沈相权 |
地址: | 311201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种高洁净度APCVD成膜设备及其成膜方法,所属硅片成膜设备技术领域,包括APCVD成膜组件,所述的APCVD成膜组件前端设有与APCVD成膜组件呈一体化的风机过滤仓,所述的风机过滤仓前端设有粘尘垫。所述的APCVD成膜组件包括成膜箱体,所述的成膜箱体下端设有成膜机架,所述的成膜机架与成膜箱体间设有加热器,所述的成膜箱体内设有衬底,所述的成膜箱体上端设有与衬底相连通的主反应剂进料管,所述的主反应剂进料管两端均设有与衬底相连通的辅助反应剂进料管。具有结构简单、致密性强和均匀性好的特点。解决了常压化学气相淀积过程中台阶覆盖能力差的问题。 | ||
搜索关键词: | 洁净 apcvd 设备 及其 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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