[发明专利]高洁净度APCVD成膜设备及其成膜方法

说明书

本发明涉及一种高洁净度APCVD成膜设备及其成膜方法，所属硅片成膜设备技术领域，包括APCVD成膜组件，所述的APCVD成膜组件前端设有与APCVD成膜组件呈一体化的风机过滤仓，所述的风机过滤仓前端设有粘尘垫。所述的APCVD成膜组件包括成膜箱体，所述的成膜箱体下端设有成膜机架，所述的成膜机架与成膜箱体间设有加热器，所述的成膜箱体内设有衬底，所述的成膜箱体上端设有与衬底相连通的主反应剂进料管，所述的主反应剂进料管两端均设有与衬底相连通的辅助反应剂进料管。具有结构简单、致密性强和均匀性好的特点。解决了常压化学气相淀积过程中台阶覆盖能力差的问题。

技术领域

本发明涉及硅片成膜设备技术领域，具体涉及一种高洁净度APCVD成膜设备及其成膜方法。

背景技术

二氧化钛膜是一种用于吸光材料表面减少光反射的透明材料，特别适合于制作太阳能电池表面地反射膜涂层。现有技术中的APCVD喷涂通用涂料一般是用钛酸四丁酯、乙酸正丁酯、异丁醇、2-乙基乙醇按一定比例混合而成，此配方制成的喷涂料沉淀出的二氧化钛膜的往往厚度不够，致密性不强，影响太阳能吸收效果，而且膜层各个方向存在视差，颜色也不同。

APCVD即常压化学气相淀积，是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这是化学气相淀积最初所采用的方法。这种工艺所需的系统简单，反应速度快，但是均匀性较差，台阶覆盖能力差，所以一般用于厚的介质淀积。在芯片制造过程中，大部分所需的薄膜材料，不论是导体、半导体，或是介电材料，都可以用化学气相淀积来制备。

发明内容

本发明主要解决现有技术中存在致密性不强和均匀性较差的不足，提供了一种高洁净度APCVD成膜设备及其成膜方法，其具有结构简单、致密性强和均匀性好的特点。解决了常压化学气相淀积过程中台阶覆盖能力差的问题。

本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

一种高洁净度APCVD成膜设备，包括APCVD成膜组件，所述的APCVD成膜组件前端设有与APCVD成膜组件呈一体化的风机过滤仓，所述的风机过滤仓前端设有粘尘垫。所述的APCVD成膜组件包括成膜箱体，所述的成膜箱体下端设有成膜机架，所述的成膜机架与成膜箱体间设有加热器，所述的成膜箱体内设有衬底，所述的成膜箱体上端设有与衬底相连通的主反应剂进料管，所述的主反应剂进料管两端均设有与衬底相连通的辅助反应剂进料管。

作为优选，所述的辅助反应剂进料管与主反应剂进料管间设有与主反应剂进料管相嵌套连接且与成膜箱体相连通的排气管道。

作为优选，所述的成膜箱体内壁上端设有若干与辅助反应剂进料管相连通的喷嘴。

作为优选，所述的喷嘴与辅助反应剂进料管间设有分流管。

作为优选，所述的风机过滤仓下端设有镂空地板，所述的风机过滤仓上端设有若干呈阵列式分布的静电消除器。

作为优选，所述的粘尘垫与风机过滤仓间设有除尘隔离仓。

一种高洁净度APCVD成膜设备的成膜方法，包括如下操作步骤：

第一步：作业人员穿着的无尘服，在进行上料等有机会接触到硅片及片盒的操作时，首先用超纯水冲洗手套1～3次，然后吹干手套上的水分，最后进入风淋室进行1～3次风淋。

第二步：硅片在APCVD前洗净机清洗完成后，暂存于10级洁净小车中，运输至风机过滤仓，通过静电消除器将硅片上的静电消除，同时风机过滤仓采用镂空地板使风机过滤仓区域内的空气中悬浮颗粒随之进入地板下层空间而得到清除。

第三步：将硅片从洁净小车中取出，放置于成膜机架的上料口完成上料过程。

第四步：硅片在成膜箱体内的衬底上，通过加热器使得成膜箱体内的硅片温升至成膜温度，主反应剂从主反应剂进料管添加，辅助反应剂从辅助反应剂进料管再经过分流管，最后从喷嘴进行添加，硅片成膜过程中的气体从排气管道进行外排。