[发明专利]高洁净度APCVD成膜设备及其成膜方法

权利要求书

1.一种高洁净度APCVD成膜设备，其特征在于：包括APCVD成膜组件（1），所述的APCVD成膜组件（1）前端设有与APCVD成膜组件（1）呈一体化的风机过滤仓（3），所述的风机过滤仓（3）前端设有粘尘垫（6）；所述的APCVD成膜组件（1）包括成膜箱体（8），所述的成膜箱体（8）下端设有成膜机架（7），所述的成膜机架（7）与成膜箱体（8）间设有加热器（15），所述的成膜箱体（8）内设有衬底（14），所述的成膜箱体（8）上端设有与衬底（14）相连通的主反应剂进料管（10），所述的主反应剂进料管（10）两端均设有与衬底（14）相连通的辅助反应剂进料管（9）。

2.根据权利要求1所述的一种高洁净度APCVD成膜设备，其特征在于：所述的辅助反应剂进料管（9）与主反应剂进料管（10）间设有与主反应剂进料管（10）相嵌套连接且与成膜箱体（8）相连通的排气管道（11）。

3.根据权利要求1所述的一种高洁净度APCVD成膜设备，其特征在于：所述的成膜箱体（8）内壁上端设有若干与辅助反应剂进料管（9）相连通的喷嘴（13）。

4.根据权利要求3所述的一种高洁净度APCVD成膜设备，其特征在于：所述的喷嘴（13）与辅助反应剂进料管（9）间设有分流管（12）。

5.根据权利要求1所述的一种高洁净度APCVD成膜设备，其特征在于：所述的风机过滤仓（3）下端设有镂空地板（4），所述的风机过滤仓（3）上端设有若干呈阵列式分布的静电消除器（2）。

6.根据权利要求1所述的一种高洁净度APCVD成膜设备，其特征在于：所述的粘尘垫（6）与风机过滤仓（3）间设有除尘隔离仓（5）。

7.一种高洁净度APCVD成膜设备的成膜方法，其特征在于包括如下操作步骤：

第一步：作业人员穿着的无尘服，在进行上料等有机会接触到硅片及片盒的操作时，首先用超纯水冲洗手套1～3次，然后吹干手套上的水分，最后进入风淋室进行1～3次风淋；

第二步：硅片在APCVD前洗净机清洗完成后，暂存于10级洁净小车中，运输至风机过滤仓（3），通过静电消除器（2）将硅片上的静电消除，同时风机过滤仓（3）采用镂空地板（4）使风机过滤仓（3）区域内的空气中悬浮颗粒随之进入地板下层空间而得到清除；

第三步：将硅片从洁净小车中取出，放置于成膜机架（7）的上料口完成上料过程；

第四步：硅片在成膜箱体（8）内的衬底（14）上，通过加热器（15）使得成膜箱体（8）内的硅片温升至成膜温度，主反应剂从主反应剂进料管（10）添加，辅助反应剂从辅助反应剂进料管（9）再经过分流管（12），最后从喷嘴（13）进行添加，硅片成膜过程中的气体从排气管道（11）进行外排。

8.根据权利要求7所述的高洁净度APCVD成膜设备的成膜方法，其特征在于：作业人员穿着的无尘服，用10级或100级的无尘服替换原1000级的无尘服，无尘服清洁频率为每周一次。

9.根据权利要求7所述的高洁净度APCVD成膜设备的成膜方法，其特征在于：在操作人员进入风机过滤仓（3）之前，双脚站在粘尘垫（6）上，用粘尘辊滚动全身1～3次，清洁无尘服表面沾染的颗粒才能从除尘隔离仓（5）进入风机过滤仓（3）。