[发明专利]三维结构的天线效应的判断方法在审
| 申请号： | 202110342820.9 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113095036A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张倩倩;杨婷;陈颖颖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维结构的天线效应的判断方法，包括：识别待计算天线效应的有效栅极；计算所述有效栅极的栅氧理论面积和所述有效栅极的保护二极管的理论面积；对所述有效栅极的栅氧理论面积及所述有效栅极的保护二极管理论面积进行近似处理，以获得栅氧近似面积和保护二极管近似面积；计算导体面积与所述栅氧近似面积的比值，和/或计算导体面积与所述栅氧近似面积和所述保护二极管近似面积两者之和的比值，并与天线比率阈值进行比较，以选出违反天线效应的图形。该方法可避免无关风险报错，并实现版图资源合理化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 结构 天线 效应 判断 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110342820.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的制备方法
- 下一篇：一种多环境共享微信资源的方法
