[发明专利]三维结构的天线效应的判断方法

说明书

本发明提供了一种三维结构的天线效应的判断方法，包括：识别待计算天线效应的有效栅极；计算所述有效栅极的栅氧理论面积和所述有效栅极的保护二极管的理论面积；对所述有效栅极的栅氧理论面积及所述有效栅极的保护二极管理论面积进行近似处理，以获得栅氧近似面积和保护二极管近似面积；计算导体面积与所述栅氧近似面积的比值，和/或计算导体面积与所述栅氧近似面积和所述保护二极管近似面积两者之和的比值，并与天线比率阈值进行比较，以选出违反天线效应的图形。该方法可避免无关风险报错，并实现版图资源合理化应用。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，特别涉及一种三维结构的天线效应的判断方法。

背景技术

在集成电路制造过程中，经常使用一种以等离子为基础的离子刻蚀技术，该技术在刻蚀过程中会产生游离电荷，当刻蚀导体(金属、多晶硅)时，裸露的导体就会吸收游离的电荷，如果积累的电荷的导体直接作用在栅极上，就会在栅极下的薄氧层形成栅极漏电流，当积累的电荷到达一定数量时，这种栅极电流会损伤栅氧化层，从而使器件甚至整个芯片的可靠性和寿命降低，这种现象称为天线效应。

产生天线效应时，积累的电荷与暴露在等离子体束下的导体的面积有关，可用“天线比率”(antenna ratio：构成所谓“天线”的导体的面积与所相连的栅氧化层面积的比率)作为芯片发生天线效应的衡量标准，据此，每种工艺节点会有专门的设计规则检查(DRC)，在芯片制造前提示天线效应的风险。

半导体工艺制程中从最小栅长小于28nm开始，为解决短沟道有效关断和漏电以及失配等问题，从平面结构转向立体结构，鳍式场效应晶体管(FINFET)是业界主推的一种立体结构。FINFET的鳍部是三维结构，可以在鳍部的三个表面形成晶体管的沟道，使得FINFET对于衬底上的占用的给定的表面区域可以表现出高电流切换能力。但是由于沟道定义不同，平面结构的天线效应判断方法已不适用于三维结构的检查，如果仍按照平面结构天线效应的判断方法进行版图修改，势必会造成严重的资源浪费，同时会出现很多无关的风险报错。

发明内容

本发明的目的在于提供一种三维结构的天线效应的判断方法，以解决版图资源浪费以及无关的风险报错的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种三维结构的天线效应的判断方法，包括：

识别待计算天线效应的有效栅极；

计算所述有效栅极的栅氧理论面积和所述有效栅极的保护二极管的理论面积；

对所述有效栅极的栅氧理论面积及所述有效栅极的保护二极管理论面积进行近似处理，以获得栅氧近似面积和保护二极管近似面积；

计算导体面积与所述栅氧近似面积的比值，和/或计算导体面积与所述栅氧近似面积和所述保护二极管近似面积两者之和的比值，并与天线比率阈值进行比较，以选出违反天线效应的图形。

可选的，栅极所属的器件浅掺杂与深掺杂为反型时，栅极与有源区重合的区域识别为有效栅极。

可选的，栅极所属的器件浅掺杂与深掺杂为同型，且不存在标识层时，栅极与有源区重合的部分且无标识层的区域识别为有效栅极。

可选的，所述栅氧理论面积的计算包括计算栅极跨单个鳍部的栅氧理论面积和栅极跨多个鳍部的栅氧理论面积。

可选的，所述计算栅极跨单个鳍部的栅氧理论面积，通过鳍部的高度、鳍部的宽度以及栅极的长度计算。

可选的，所述计算栅极跨多个鳍部的栅氧理论面积，通过有源区的宽度、鳍部的宽度、鳍部的高度、鳍部的间距以及鳍部的栅极长度计算。

可选的，所述保护二极管理论面积的计算包括计算跨单个鳍部的保护二极管理论面积和跨多个鳍部的保护二极管理论面积。

可选的，计算跨单个鳍部的二极管理论面积，通过鳍部的长度、鳍部的宽度以及鳍部上的栅极总长度计算。