[发明专利]一种高世代TFT-LCD用ITO靶材的常压气氛烧结方法在审
| 申请号： | 202110336063.4 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113072375A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 盖伟;尹凯;贾泽夏;古建国;张立新 | 申请（专利权）人： | 云南戊电靶材科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/01;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人： | 马尚伟 |
| 地址： | 661000 云南省红河哈尼族彝*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高世代TFT‑LCD用ITO靶材的常压气氛烧结方法，包括：以高纯ITO纳米粉体为原料经造粒、模压、冷等静压得到素坯，然后对素坯进行常压气氛烧结得到ITO靶材等步骤，本发明采用常压气氛烧结工艺技术生产的ITO靶材，制备的ITO靶材相对理论密度≥99.7％，电阻率：≤1.6×10‑4Ω·cm，单片尺寸可以达到1200mm*600mm，适用于8.5代、10.5代、11代等大尺寸TFT‑LCD面板线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 世代 tft lcd ito 常压 气氛 烧结 方法 | ||
【主权项】：
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