[发明专利]一种层状羟基氯化铜粉体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110323216.1 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN112897568B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张剑;余红;田辉;王美玲;张洋;崔航;崔啟良 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01G3/05 | 分类号： | C01G3/05 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的一种层状羟基氯化铜粉体材料及其制备方法，属于准二维层状金属羟基卤化物晶体材料制备的技术领域。以纯的具有层状单斜结构的羟基氯化铜(Cu(OH)Cl)晶体粉末为初始原料，在高压装置(DAC)中对初始原料加压至18.7～28.4GPa，卸压至常压，得到两种不同结构的羟基氯化铜(Cu(OH)Cl)混合共存的粉末材料。本发明首次通过高压合成的方法得到了在常压下仍然能稳定存在的具有层状正交结构的羟基氯化铜Cu(OH)Cl晶体材料，有望在量子自旋液体、自旋电子学、阻挫磁性材料等领域获得应用；并且具有过程简单、室温合成、合成时间短、可重复性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层状 羟基 氯化铜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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